[发明专利]阻气性塑料成型体及其制造方法

说明书

本发明的目的在于提供阻气性和透明性优异的阻气性塑料成型体及其制造方法。本发明的阻气性塑料成型体(90)是具备塑料成型体(91)和设置于塑料成型体(91)的表面的阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体，其中，阻气薄膜(92)含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si‑C键能的出峰位置具有观察到主峰的区域。条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。

技术领域

本发明涉及阻气性塑料成型体及其制造方法。

背景技术

以往，作为形成具有阻气性的薄膜(以下有时也称为阻气薄膜)的技术，已知有发热体CVD法。发热体CVD法也被称为Cat-CVD法或热丝CVD法，该方法使原料气体与发热的发热体接触而发生分解，将所生成的化学种直接地或在气相中经过反应过程后以薄膜的形式堆积在塑料成型体的表面上(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2012/091097号公报

专利文献2：WO2013/099960号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于塑料成型体，除了要求高阻气性以外，有时还要求高透明性。在专利文献1所述的方法中，阻气性优异，但是透明性不足。

本发明的目的在于提供阻气性和透明性优异的阻气性塑料成型体及其制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的阻气性塑料成型体是具备塑料成型体和设置于该塑料成型体的表面的阻气薄膜的阻气性塑料成型体，其特征在于，

上述阻气薄膜含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si-C键能的出峰位置具有观察到主峰的区域。

条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。

在本发明的阻气性塑料成型体中，优选上述阻气薄膜在深度方向上具有倾斜组成，在将上述阻气薄膜在深度方向上二等分并设与上述塑料成型体相反的一侧为上层、设上述塑料成型体侧为下层时，上述上层中的由(数学式1)表示的C含有率高于上述上层中的由(数学式2)表示的Si含有率。

(数学式1)C含有率[％]＝{(C含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100

数学式1中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

(数学式2)Si含有率[％]＝{(Si含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100

数学式2中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

在本发明的阻气性塑料成型体中，优选上述上层中的由(数学式3)表示的O含有率低于上述上层中的Si含有率。

(数学式3)O含有率[％]＝{(O含量[原子％])/(Si、O和C的总含量[原子％])}×100

数学式3中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素的细分含量。

在本发明的阻气性塑料成型体中，优选上述阻气薄膜在深度方向上具有倾斜组成，在将上述阻气薄膜在深度方向上二等分并设与上述塑料成型体相反的一侧为上层、设上述塑料成型体侧为下层时，上述下层中的由(数学式1)表示的C含有率高于上述下层中的由(数学式3)表示的O含有率。通过使下层中的C含有率高于O含有率，能够提高薄膜与塑料成型体的密合性。