[发明专利]具有片上噪声保护电路的半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，其具有：基板；压焊块；形成在所述基板上的保护元件，其保护内部电路；以及金属配线，其用以将所述压焊块与所述保护元件电连接，该半导体芯片的特征在于，

所述金属配线具有电阻值比所述保护元件的电阻值高的高电阻部和多个弯折角度低于90度的部分，所述高电阻部连接在所述压焊块与所述保护元件之间，

所述高电阻部与所述基板在所述基板的厚度方向上相距500nm以上。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述高电阻部具有与所述压焊块形成于同层的金属薄膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述高电阻部具有：金属薄膜层，其形成于所述压焊块的下层；以及通孔，其连接所述金属薄膜层与所述压焊块。

4.根据权利要求2或3所述的半导体芯片，其特征在于，所述金属薄膜层形成为螺旋状。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述金属薄膜层的形成为螺旋状的部分的弯折的角度为45度。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述高电阻部具有：第一金属薄膜层，其与压焊块形成于同层；第二金属薄膜层，其形成于所述第一金属薄膜层的下层；以及通孔，其连接所述第一金属薄膜层与所述第二金属薄膜层。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一金属薄膜层与所述第二金属薄膜层由所述通孔加以串联。

8.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，具有多晶硅电阻，

所述多晶硅电阻的一端侧经由第一触点与所述高电阻部连接，另一端侧经由第二触点和金属薄膜层与所述保护元件连接。

9.根据权利要求2或3所述的半导体芯片，其特征在于，具有与所述金属薄膜层同层、以与所述金属配线并排布线的方式形成的第一电极膜和第二电极膜，

所述第一电极膜和所述第二电极膜与接地电位连接，

在所述第一电极膜与所述金属薄膜层之间以及所述第二电极膜与所述金属薄膜层之间形成电容。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，具有：

第三电极膜，其形成于所述金属薄膜的上层侧，经由通孔与所述第一电极膜和所述第二电极膜中的各方连接；以及

第四电极膜，其形成于所述金属薄膜的下层侧，经由通孔与所述第一电极膜和所述第二电极膜中的各方连接，

所述第一电极膜至所述第四电极膜是以立体地包围所述金属薄膜层的方式形成，

在所述第一电极膜至所述第四电极膜与所述金属薄膜层之间分别形成电容。

11.根据权利要求2或3所述的半导体芯片，其特征在于，在所述金属薄膜层与半导体基板之间的层间绝缘膜中具有热电阻比所述层间绝缘膜低的层。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，具有以包围内部电路的方式配置的电源环，

所述高电阻部配置在所述电源环区域内。

13.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

所述压焊块具有第一压焊块和第二压焊块，

所述保护元件具有第一保护元件和第二保护元件，

所述金属配线具有：

第一金属配线，其存在于所述第一压焊块与所述第一保护元件的电路径上；以及

第二金属配线，其存在于所述第二压焊块与所述第二保护元件的电路径上，

所述第一金属配线具有电阻值比所述第一保护元件高的第一高电阻部，

所述第二金属配线具有电阻值比所述第二保护元件高的第二高电阻部，

所述第一压焊块、所述第一保护元件、所述第二压焊块及所述第二保护元件呈交叉状配置。

14.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

所述压焊块具有第一压焊块和第二压焊块，

所述保护元件具有第一保护元件和第二保护元件，

所述金属配线具有：

第一金属配线，其存在于所述第一压焊块与所述第一保护元件的电路径上；以及

第二金属配线，其存在于所述第二压焊块与所述第二保护元件的电路径上，

所述第一金属配线具有电阻值比所述第一保护元件高的第一高电阻部，

所述第二金属配线具有电阻值比所述第二保护元件高的第二高电阻部，

所述第一压焊块和所述第二压焊块沿所述半导体芯片的第一边配置，

所述第一保护元件和所述第二保护元件沿所述半导体芯片的第二边配置。