[发明专利]具有片上噪声保护电路的半导体芯片

说明书

本发明提供一种具有耐噪性高的保护电路的半导体芯片。本发明的半导体芯片具有压焊块、保护元件及内部电路，其特征在于，到达至所述压焊块和所述保护元件的路径上的金属配线的电阻值高于所述保护元件的电阻值。

技术领域

本发明涉及一种具有通过形成于芯片上的保护电路来保护内部电路免受噪声影响的功能的半导体芯片。

背景技术

当因静电、电涌等噪声而导致过大电压施加至半导体芯片的内部电路时，会引起栅极氧化膜的绝缘破坏或者PN接合部的破坏、劣化，从而引起半导体芯片的永久故障或者电路特性的变化等。为了防止这种由噪声所引起的内部电路的破坏或劣化而实现可靠性高的半导体芯片，必须在压焊块与内部电路之间设置保护电路，以使得即便在噪声施加时也不会对内部电路施加过大电压。专利文献1中记载的技术是在输入压焊块与内部电路之间配备多晶硅电阻和钳位晶体管。当过电压施加至压焊块时，钳位晶体管进行击穿或骤回动作而成为低电阻状态，使得电流从压焊块经由多晶硅电阻和钳位晶体管朝接地端子流动。此时，噪声的能量的大部分被多晶硅电阻吸收，施加至内部电路的电压被钳制在一定值以下，因此，能够防止前文所述那样的元件破坏和特性的劣化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开昭61-32563号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在现有技术中，为了连接压焊块与多晶硅电阻而需要触点压焊块，从而存在该触点容易被噪声破坏的问题。通常，触点是由钨等金属材料构成，而多晶硅电阻是由半导体材料构成，因此，会在两者的接合部分产生寄生电阻。此外，还存在因近来的微细化而使得触点尺寸缩小的情况，导致触点的电阻相对较高。结果，噪声的能量集中于触点部分，从而有触点烧损之虞。

本发明是鉴于上述情况而成，其目的在于提高片上噪声保护电路的耐噪性，提供一种可靠性更高的半导体芯片。

解决问题的技术手段

达成上述目的的本发明的半导体芯片的特征在于，到达至压焊块和保护元件的路径上的金属配线的电阻值高于所述保护元件的电阻值。

发明的效果

根据本发明，在压焊块与保护电阻之间不需要触点，从而能够提供可靠性更高的半导体芯片。

附图说明

图1为形成第1实施例的半导体芯片的电路构成。

图2为保护元件的电阻值的说明图。

图3为形成第1实施例的半导体芯片的截面图。

图4为形成第2实施例的半导体芯片的俯视图。

图5为第2实施例的变形例。

图6为形成第3实施例的半导体芯片的截面图。

图7为第3实施例的变形例。

图8为形成第4实施例的半导体芯片的电路构成。

图9为形成第4实施例的半导体芯片的截面图。

图10为形成第5实施例的半导体芯片的电路构成。

图11为形成第5实施例的半导体芯片的俯视图。

图12为第1实施例的变形例。

图13为第1实施例的变形例。

图14为形成第6实施例的半导体芯片的电路构成。

图15为形成第7实施例的半导体芯片的截面图。

图16为第7实施例的变形例。