[发明专利]负载锁定设备、冷却板组件及电子装置处理系统与方法有效
申请号: | 201680023208.2 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107534001B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 保罗·B·路透;特雷斯·莫瑞 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 锁定 设备 冷却 组件 电子 装置 处理 系统 方法 | ||
提供一种包括下盘形扩散器的负载锁定设备。负载锁定设备包括负载锁定主体,负载锁定主体含有下负载锁定腔室和上负载锁定腔室,下冷却板在下负载锁定腔室中,且上冷却板在上负载锁定腔室中。下盘形扩散器可置中地位于下冷却板的上方。上盘形扩散器可置中地位于上冷却板的上方。提供包括负载锁定设备的系统和操作负载锁定设备的方法。亦提供可易于移除而用于清洁的冷却板组件,随之有许多其他的方面。
相关申请案
本申请案要求于2015年4月22日提交的名称为“负载锁定设备、冷却板组件及电子装置处理系统与方法”(案号为第22367/USA号)的美国非临时申请案第14/693,386号的优先权,于此,出于所有的目的通过引用将上述专利申请案以全文的方式结合在此。
技术领域
本发明一般地涉及电子装置制造,且更具体而言,涉及负载锁定设备。
背景技术
传统的电子装置制造工具可包括多个处理腔室和围绕传送腔室的一或多个负载锁定腔室。这些电子装置制造系统可使用可容纳在传送腔室内、且传送基板于各种处理腔室与一或多个负载锁定腔室之间的传送机械手。在一些示例中,可将负载锁定腔室堆叠成一个在另一个的顶部(例如,双负载锁定)。
可以提供工厂界面(有时被称为设备前端模块,EFEM)以在工厂界面的前面处将基板装载进入或离开一或多个负载锁定腔室。
虽然足以满足他们所预期的目的,现有的负载锁定腔室设计受到一些问题的困扰。在这些负载锁定腔室中,可以进行周期性地清洁,以移除污染物、残余物和/或颗粒。然而,在现有的负载锁定腔室中,腔室清洁负载锁定腔室是耗时的且劳力密集的。此外,现有的包括堆叠负载锁定构造的负载锁定腔室可能受到热有关的困扰。因此,期望有能易于清洁和/或改良的热性质的改进的负载锁定设备、系统及方法。
发明内容
在第一方面中,提供有一种负载锁定设备。负载锁定设备包括:负载锁定主体,包括下负载锁定腔室和上负载锁定腔室;下冷却板,设置在下负载锁定腔室中;上冷却板,设置在上负载锁定腔室中;下盘形扩散器,置中地位于下冷却板的上方;以及上盘形扩散器,置中地位于上冷却板的上方。
根据另一方面,提供有一种用于负载锁定设备的冷却板组件。冷却板组件包括:冷却板,包括交叉钻孔通道、分配通道和收集通道,其中分配通道和收集通道各自与交叉钻孔通道相交;流入耦接构件和流出耦接构件,耦接到冷却板,流入耦接构件包括入口通道且流出耦接构件包括出口通道,入口通道和出口通道由分配通道和收集通道互连至交叉钻孔通道;柔性流入导管,耦接到流入耦接构件;以及柔性流出导管,耦接到流出耦接构件。
根据另一方面,提供有一种电子装置的处理系统。电子装置处理系统包括:主框架,包括经构造以移动基板的机械手;工厂界面,具有一或多个负载口;和负载锁定设备,容纳于主框架与工厂界面之间,负载锁定设备包括:负载锁定主体,包括下负载锁定腔室和上负载锁定腔室;下冷却板,设置在下负载锁定腔室中;上冷却板,设置在上负载锁定腔室中;下盘形扩散器,置中地位于下冷却板的上方;以及上盘形扩散器,置中地位于上冷却板的上方。
在另一个方面中,提供有一种处理基板的方法。处理基板的方法包括以下步骤:提供位于主框架和工厂界面之间的负载锁定设备,负载锁定设备包括:负载锁定主体,包括下负载锁定腔室和上负载锁定腔室;下冷却板,设置在下负载锁定腔室中;上冷却板,设置在上负载锁定腔室中;下盘形扩散器,置中地位于下冷却板的上方;和上盘形扩散器,置中地位于上冷却板的上方;以及将惰性气体流动通过在下冷却板上方的下盘形扩散器。
提供有根据本发明的这些和其它方面的许多其他的特征。本发明的其它特征和方面将由以下的具体实施方式、所附的权利要求书和随附的图式变得更完全地显而易见。
附图说明
本领域技术人员将理解以下所描述的图式仅出于说明的目的。附图不必按比例而绘制,而非旨在以任何方式限制本发明的实施方式的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造