[发明专利]防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法

说明书

本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。

技术领域

本发明涉及防护膜组件的制造方法。

背景技术

在LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示面板等的制造中，对光掩模、中间掩模曝光而形成图案，但如果在光掩模、中间掩模的表面具有异物，则每次曝光时异物都会转印到晶片上。因此，采用如下方式：以使防护膜在距离光掩模、中间掩模的表面为数mm的部分配置的方式粘贴具备防护膜组件框和防护膜的防护膜组件。即，在光掩模、中间掩模的至少图案面配置了防护膜组件的情况下，附着于防护膜组件表面的异物由于聚焦位置偏离，因此不会在形成于半导体晶片上的光致抗蚀剂上成像，不会使电路图案产生缺陷。

作为制造带有防护膜组件的光掩模的方法，以往采用了下述方法：将厚度10μm以下的由硝酸纤维素或纤维素衍生物等透明高分子膜形成的防护膜拉伸扩张而粘接于具有与光掩模、中间掩模的形状对应的形状的厚度数毫米左右的防护膜组件框体的一个边缘面，并且将防护膜组件框体的另一个边缘面介由粘着材而粘贴于光掩模、中间掩模的表面。

另外，关于光刻的波长，短波长化推进，作为新一代的光刻技术，EUV光刻的开发正在被推进。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。光刻中，图案的分辨极限为曝光波长的1/2左右，即使使用液浸法也据说是曝光波长的1/4左右，即使使用ArF激光(波长：193nm)的液浸法，其曝光波长的极限也被预测为45nm左右。因此，EUV光刻作为与以往的光刻相比能够大幅微细化的革新技术而受到期待。

另一方面，EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此，EUV光刻中，需要使曝光装置内为真空而进行曝光。因此，认为对光掩模安装防护膜组件并不是必须的。然而，由于是以往没有的微细工艺，层叠次数也增加，因此在半导体行业中担心仅靠装置内的清洁管理则不能成品率良好地制造LSI等，明确了对光掩模安装防护膜组件是必须的。如上所述，EUV光对于所有物质都易于被吸收。因此，为了充分确保防护膜的EUV透过率，配置于防护膜组件的防护膜也需要是以往没有的纳米级的膜。例如，在EUV光的波长为13.5±0.3nm的情况下，为了获得90.0％以上的透过率，防护膜的厚度需要为10nm以上50nm以下。

因此，例如，可以考虑通过蒸镀在基板形成防护膜，将基板回蚀(back etching)成框形状，从而使防护膜露出，获得配置有防护膜的防护膜组件的方法。然而，根据该方法，为了使防护膜组件与光掩模、中间掩模的形状对应，需要从整个基板中仅裁剪出(切出)防护膜组件所需的部分。由于防护膜的膜厚非常薄，因此优选考虑操作性，并在将基板残留于外周的状态下裁剪。通过裁剪，残留于膜外周的基板作为防护膜组件框的一部分使用。另外，关于回蚀，下述专利文献1中也有所记载。即，专利文献1中，记载了将SOI基板的硅基板薄化至50μm后，通过DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应离子蚀刻)形成蜂窝结构而制作防护膜，然后，将防护膜裁切成与防护膜组件框架相同的尺寸。这样，为了使防护膜组件与光掩模、中间掩模的形状对应，需要从整个基板中仅裁剪(切出)防护膜组件所需的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-004893号公报

发明内容

发明所要解决的课题