[发明专利]电荷传输性膜、有机电致发光元件及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201680023237.9 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107535031B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 东将之 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 传输 制造 方法 有机 电致发光 元件 提高 | ||
1.一种电荷传输性膜的制造方法，其特征在于，其是制造具有50nm～300nm范围内的膜厚的电荷传输性膜的方法，其具备下述工序：
将包含仅由N,N’-二芳基联苯胺衍生物组成的电荷传输性物质、掺杂剂物质和有机溶剂的电荷传输性膜形成用清漆涂布在基材上的工序；以及
将所得涂膜以式(S1)所示的烧成温度进行烧成的工序，
烧成温度>[232.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃](S1)。
2.根据权利要求1所述的电荷传输性膜的制造方法，其中，所述烧成温度用式(S2)表示，
烧成温度>[237.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃](S2)。
3.根据权利要求1所述的电荷传输性膜的制造方法，其中，所述掺杂剂物质包含芳基磺酸化合物。
4.根据权利要求1所述的电荷传输性膜的制造方法，其中，所述掺杂剂物质包含杂多酸。
5.根据权利要求1所述的电荷传输性膜的制造方法，其中，所述N,N’-二芳基联苯胺衍生物为N,N’-二苯基联苯胺。
6.一种电荷传输性膜，其特征在于，其是通过权利要求1～5中任一项所述的电荷传输性膜的制造方法制造的。
7.一种有机电致发光元件，其特征在于，其具有权利要求6所述的电荷传输性膜。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述电荷传输性膜为空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层。
9.一种有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，其包括权利要求1～5中任一项所述的电荷传输性膜的制造方法。
10.一种提高电荷传输性膜的电荷传输性的方法，其特征在于，其是提高由电荷传输性膜形成用清漆得到的、具有50nm～300nm范围内的膜厚的电荷传输性膜的电荷传输性的方法，所述电荷传输性膜形成用清漆包含仅由N,N’-二芳基联苯胺衍生物组成的电荷传输性物质、掺杂剂物质和有机溶剂，所述方法具备：
将由所述电荷传输性膜形成用清漆得到的涂膜以式(S1)所示的烧成温度进行烧成的工序，
烧成温度>[232.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃] (S1)。
11.根据权利要求10所述的提高电荷传输性膜的电荷传输性的方法，其中，所述烧成温度用式(S2)表示，
烧成温度>[237.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃] (S2)。
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