[发明专利]氮氧化硅梯度构思

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

两个双层，所述两个双层布置于所述基板之上，各所述双层包括：

第一无机层，所述第一无机层具有第一折射率；

第二无机层，所述第二无机层具有第二折射率，所述第一折射率系小于所述第二折射率；以及

过渡堆叠结构，所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层，其中：

所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率；

所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率；

所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折射率；以及

所述第四折射率大于所述第三折射率且小于所述第二折射率；和

缓冲层，所述缓冲层布置于所述基板之上以及所述两个双层之下，所述缓冲层包括：

第五无机层，具有第五折射率；第六无机层，具有第六折射率，所述第五折射率大于所述第六折射率；以及

过渡堆叠结构，布置于所述第五无机层与所述第六无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第七无机层及第八无机层，其中：

所述第七无机层布置于所述第五无机层上且具有第七折射率；

所述第八无机层布置于所述第七无机层上且具有第八折射率；

所述第七折射率小于所述第五折射率且大于所述第八折射率；以及

所述第八折射率小于所述第七折射率且大于所述第六折射率。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一无机层包括氧化硅，且所述第二无机层包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：

铟锡氧化物层，所述铟锡氧化物层布置于所述两个双层之上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述第五无机层包括氮化硅；以及

所述第六无机层包括氧化硅。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，进一步包括：

聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层布置于所述铟锡氧化物层之上。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，进一步包括：

聚合物层，所述聚合物层布置于所述两个双层之上以及所述铟锡氧化物层之下。

7.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中：

所述第一无机层包括氧化硅；以及

所述第二无机层包括氮化硅。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管，进一步包括：

聚合物层，所述聚合物层布置于所述两个双层之上以及所述铟锡氧化物层之下。