[发明专利]氮氧化硅梯度构思

说明书

本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。

背景

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器及有机发光二极管显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。

背景技术

由于大型玻璃面板在使用上固有的温度限制，低温多晶硅(low-temperaturepolycrystalline silicon,LTPS)对于显示器技术而言相当重要。使用低温多晶硅制造的薄膜晶体管具有改良的半导体性能，能够形成具有更高分辨率的显示器。因此，低温多晶硅薄膜晶体管提供改良电子装置(例如液晶显示器及有机发光二极管显示器)的可能性。

随着液晶显示器及有机发光二极管技术的改善，对于更大分辨率的需求便产生。低温多晶硅薄膜晶体管的层间光线的光透射比(transmittance)是改良分辨率的阻碍。特别是，当邻近的层具有不同的折射率时，光透射比减小，限制了分辨率。用于改良分辨率的一种方法是改良低温多晶硅薄膜晶体管的层间光线的光透射比。

因此，存在对低温多晶硅薄膜晶体管中改良的光透射比的需求。

发明内容

本文所述的实施方式一般涉及具有低温多晶硅技术的液晶显示器及有机发光二极管装置，包括为了改良的光透射比的具有匹配的折射率的内层。

更特别地，本文所述的实施方式涉及具有两个布置于基板上的双层的液晶显示器或有机发光二极管装置。每个双层包括具有第一折射率的第一无机层；具有第二折射率的第二无机层；以及布置于第一无机层与第二无机层之间的过渡堆叠结构。第一折射率小于第二折射率。过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层。在过渡堆叠结构中，第三无机层布置于第一无机层上且具有第三折射率；第四无机层布置于第三无机层上且具有第四折射率。第三折射率大于第一折射率且小于第四折射率。第四折射率大于第三折射率且小于第二折射率。液晶层布置于两个双层上。

本文所述的实施方式还涉及具有栅极绝缘体双层及布置于玻璃基板上的层间介电层的液晶显示器或有机发光二极管装置。栅极绝缘体双层包括具有第一折射率的第一无机层；具有第二折射率的第二无机层；以及布置于第一无机层与第二无机层之间的过渡堆叠结构。第一折射率小于第二折射率。过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层。第三无机层布置于第一无机层上且具有第三折射率。第四无机层布置于第三无机层上且具有第四折射率。第三折射率大于第一折射率且小于第四折射率。第四折射率大于第三折射率且小于第二折射率。层间介电层布置于栅极绝缘体双层上。层间介电层包括具有第五折射率的第五无机层；具有第六折射率的第六无机层；以及布置于第五无机层及第六无机层之间的过渡堆叠结构。第五折射率小于第六折射率。过渡堆叠结构包括至少第七无机层及第八无机层。第七无机层布置于第五无机层上且具有第七折射率。第八无机层布置于第七无机层上且具有第八折射率。第七折射率大于第五折射率且小于第八折射率。第八折射率大于第七折射率且小于第六折射率。液晶层布置于层间介电层上。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式具有对在上文中简要概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本发明的典型实施方式，因此不应将其视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1是根据一个实施方式的等离子体处理系统的截面示意图。

图2是根据一个实施方式的薄膜晶体管装置的截面示意图。