[发明专利]具有厚的顶层金属设计的功率半导体器件和用于制造这样的功率半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包含以下的步骤：

提供第一导电类型的晶圆（41），所述晶圆（41）具有第一主侧（42）和与所述第一主侧（42）相反的第二主侧（43），并且，所述晶圆（41）包括有源单元区（44）和终止区（45），在所述晶圆（41）的中心部分中，所述有源单元区（44）从所述第一主侧（42）延伸至所述第二主侧（43），在到与所述第一主侧（42）平行的平面上的正交投影中，所述终止区（45）环绕所述有源单元区（44）；

在所述第一主侧（42）上形成金属化层（46；86），以在所述有源单元区（44）中与所述晶圆（41）电接触，其中，所述金属化层（46；86）的背对着所述晶圆（41）的表面限定与所述第一主侧（42）平行的第一平面（B；B'）；

在所述第一主侧（42）上形成隔离层（417），以覆盖所述终止区（45），其中，所述隔离层（417）的背对着所述晶圆（41）的表面限定与所述第一主侧（42）平行的第二平面（A）；

在形成所述金属化层（46；86）的步骤之后，且在形成所述隔离层（417）的步骤之后，将所述晶圆（41）以其第一主侧安装至卡盘（421）的平坦表面；以及

此后，在通过在所述卡盘（421）与研磨轮（422）之间施加压力而将所述晶圆（41）的所述第二主侧按压到所述研磨轮上的同时，通过研磨而使所述晶圆（41）从其第二主侧（43）变薄，

其特征在于，所述第二平面（A）比所述第一平面（B；B'）更远离所述晶圆（41）至多1 µm，以及

形成所述金属化层（46；86）的步骤包含：

在形成所述隔离层（417）的步骤之前，在所述有源单元区（44）中的所述第一主侧（42）上形成所述金属化层（46；86）的下部分（46a；86a）的第一步骤；和

在形成所述隔离层（417）的步骤之后，在所述有源单元区（44）中的所述金属化层（46；86）的所述下部分（46a；86a）上，形成所述金属化层（46；86）的上部分（46b；86b）的第二步骤。

2. 根据权利要求1所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，所述第一平面（B）与所述第二平面（A）之间的距离小于1 µm。

3. 根据权利要求1所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，所述第一平面（B'）比所述第二平面（A）更远离所述晶圆（41），并且，所述第一平面（B'）与所述第二平面（A）之间的距离为1 µm或更大。

4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，在与所述第一主侧垂直的方向上的所述隔离层（417）的厚度为5 µm或更大。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，在形成所述金属化层（46；86）的下部分（46a；86a）的所述第一步骤中，同时在所述终止区（45）中，形成至少一个场板（48）。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的用于制造功率半导体器件的方法，包含在与所述第一主侧（42）相邻的所述终止区（45）中，形成与所述第一导电类型不同的第二导电类型的至少一个终止层（47）的步骤，所述终止层（47）环绕所述有源单元区（44），

其中，所述至少一个终止层（47）是下列中的一个：

螺旋缠绕层，

至少一个保护环，以及

VLD层，具有在横向方向上随着离所述有源单元区的增大的距离而逐渐减小的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，所述至少一个终止层（47）中的每一个电连接至所述终止区（45）中的所述金属化层（46；86）的个别部分（48），其中，所述金属化层（46；86）的所述个别部分（48）将布置于所述有源单元区（44）上的所述金属化层（46；86）的任何区段物理地并且电气地分离。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的用于制造功率半导体器件的方法，其中，所述隔离层（417）由聚酰亚胺形成。