[发明专利]带有印刷成形封装部件和导电路径再分布结构的引线载体有效
申请号: | 201680025495.0 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN107960132B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 菲利普·E·罗杰 | 申请(专利权)人: | 由普莱克斯有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 中国香港北角*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 印刷 成形 封装 部件 导电 路径 再分 结构 引线 载体 | ||
1.一种用于装配密封在模制复合物中的封装半导体裸片的引线载体,所述引线载体包括:具有顶面和相对的背面的连续的模制复合物片,所述连续的模制复合物片包括封装部位阵列,每个封装部位对应于半导体裸片封装,每个封装部位包括:
具有顶面和相对的背面的半导体裸片,并且包括至少一个在其顶面的接合线焊盘;
一组端子结构,每个端子结构由烧结材料形成,并且具有顶面、在所述连续的模制复合物片的背面露出的相对的背面以及其顶面和背面之间的高度;
一组电流路径再分布结构,每个再分布结构包括由烧结材料形成的细长布线结构,并且具有第一端、不同于所述第一端的第二端、顶表面、相对的底表面、宽度和在其顶表面和底表面之间的厚度,所述电流路径再分布结构的厚度小于所述端子结构的高度,其中,在所述再分布结构组内,如所制作的任何给定的再分布结构为(a)电预耦合到预定端子结构的预链接再分布结构,或(b)与每个端子结构电隔离的初始未链接的再分布结构中的任一者;
设置在每个再分布结构的底表面和所述连续的模制复合物片的背面之间的电介质结构;
多个接合线,其选择性地在所述半导体裸片、所述端子结构组与所述再分布结构组之间建立电耦合;以及
密封所述半导体裸片、所述端子结构组、所述再分布结构组和所述多个接合线的硬化的模制复合物,
其中,每个再分布结构的底表面从所述背面朝向所述连续的模制复合物片的顶面偏离。
2.根据权利要求1所述的引线载体,其中,至少一个再分布结构整体地包括具有大于所述细长布线结构的宽度的宽度的远程端子结构。
3.根据权利要求2所述的引线载体,其中,所述至少一个再分布结构整体地包括多个远程端子结构。
4.根据权利要求1所述的引线载体,其中,在每个封装部位,所述每个再分布结构的顶表面与所述每个端子结构的顶面平行,其中,所述每个再分布结构的底表面不暴露在所述连续的模制复合物片的背面,并且其中,所述每个端子结构的背面限定对应于所述封装部位的所述半导体裸片封装的表面贴装结点。
5.根据权利要求1所述的引线载体,其中,所述多个接合线包括选择性地在所述半导体裸片和所述再分布结构组之间形成的第一接合线,以及选择性地在所述半导体裸片和所述端子结构组之间形成的第二接合线。
6.根据权利要求5所述的引线载体,其中,所述再分布结构组包括至少一个初始未链接的再分布结构,并且其中,所述多个接合线还包括选择性地在所述端子结构组和至少一个初始未链接的再分布结构之间形成的第三接合线。
7.根据权利要求1所述的引线载体,其中,所述再分布结构组包括至少一个预链接再分布结构和至少一个初始未链接的再分布结构。
8.根据权利要求1所述的引线载体,其中,所述电介质结构包括粒子材料,其具有由模制复合物占据的空隙空间。
9.根据权利要求8所述的引线载体,其中,在所述模制复合物占据所述空隙空间之前,所述粒子材料包括25%至90%的空隙空间。
10.根据权利要求1所述的引线载体,其中,在每个封装部位,所述电介质结构从所述封装部位的底部向上垂直延伸到在每个再分布结构的顶表面下方的所述每个再分布结构的厚度的一小部分。
11.根据权利要求1所述的引线载体,其中,每个再分布结构沿着一个或多个端子结构的周边部分、在其之间和/或其周围布线。
12.根据权利要求11所述的引线载体,其中,每个封装部位包括多达数百个端子结构,并且其中,每个封装部位包括在端子结构的周边部分之间布线的多个再分布结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造