[发明专利]光电转换元件有效
| 申请号： | 201680026210.5 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107615425B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 胜亦健治 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
1.一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在所述基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层，其中，
所述光电转换元件具有至少一个光电转换单元，
所述光电转换单元具有：
所述多个导电层中的一个导电层，
与所述导电层对置的对置基板，以及
被设置在所述导电层和所述对置基板之间的氧化物半导体层，
在所述基板上沿着所述多个导电层彼此之间的所述沟槽的长度方向设置有导电性膜，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，
所述导电性膜由与所述导电层相同的材料构成。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为200个以下的比例存在长度5μm以上的裂缝。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，
在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为40个以下的比例存在长度5μm以上的裂缝。
5.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为34个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。
6.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
在所述导电性膜中，存在彼此交叉的裂缝。
7.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
所述多个导电层彼此之间的所述沟槽被绝缘材料覆盖。
8.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
所述导电性膜的厚度为150nm以下,
所述沟槽的宽度为200μm以下，
所述裂缝的底部到达所述基板与所述导电性膜的界面。
9.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
所述裂缝的底部到达在所述基板中相比于所述基板与所述导电性膜的界面更远离所述导电性膜的位置。
10.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，
所述裂缝与所述导电层接触。
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