[发明专利]光电转换元件

说明书

本发明公开了一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层。该光电转换元件具有至少一个光电转换单元。光电转换单元具有：多个导电层中的一个导电层，与导电层对置的对置基板，以及被设置在导电层和对置基板之间的氧化物半导体层；在基板上沿着多个导电层彼此之间的沟槽的长度方向设置有导电性膜，在导电性膜中，以沿着沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。

技术领域

本发明涉及一种光电转换元件。

背景技术

作为光电转换元件，由于便宜且能够获得高的光电转换效率，因此使用了色素的光电转换元件备受瞩目，并且对使用了色素的光电转换元件进行各种开发。

使用了色素的光电转换元件至少具备一个光电转换单元，光电转换单元一般具备：在基板上设置了导电层的导电性基板；与导电层对置的对置基板；被设置在导电层和对置基板之间的氧化物半导体层(例如参照下述专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-192008号公报

发明内容

但是，上述的专利文献1所记载的光电转换元件在光电转换特性的方面还有改善的余地。

本发明为鉴于上述情况而被作出的，其目的在于提供一种能够充分提高光电转换特性的光电转换元件。

本发明人为了解决上述课题而对上述专利文献1所记载的光电转换元件进行了研究。其结果，对光电转换元件所包含的相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的电阻值进行了测定，结果得知电阻值比较小。由此，本发明人想到了是否为，在相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的沟槽的底部中，即，沿着沟槽的长度方向，在基板上残留由导电性物质构成的导电性膜，并且由该残留的导电性物质构成的导电性膜使相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的电阻值变小。因此，本发明人进一步反复进行了深入研究，结果查明在相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的沟槽的底部中，即，沿着沟槽的长度方向被设置在基板上的导电性膜中，沿着沟槽的长度方向的每特定的长度被观察到的、具有特定值以上的长度的裂缝的数量与光电转换特性之间可以看出相关关系，从而发现通过以下发明能够解决上述课题。

即，本发明为一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在所述基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层，其中，所述光电转换元件具有至少一个光电转换单元，所述光电转换单元具有：所述多个导电层中的一个导电层，与所述导电层对置的对置基板，被设置在所述导电层和所述对置基板之间的氧化物半导体层，在所述基板上沿着所述多个导电层彼此之间的所述沟槽的长度方向设置有导电性膜，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。

根据本发明的光电转换元件，在多个导电层彼此之间的沟槽的底部中，即沿着沟槽的长度方向被设置在基板上的导电性膜中，以沿着沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。因此，导电性膜中的导电路径通过该裂缝被充分地切断，从而能够充分地确保导电层彼此之间的绝缘性。其结果，能够提高光电转换元件的光电转换特性。

在上述光电转换元件中，所述导电性膜优选由与导电层相同的材料构成。

在上述光电转换元件中，优选为，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为200个以下的比例存在长度5μm以上的裂缝。

在该情况下，与以沿着沟槽的长度方向的每100μm长度为超过200个的比例存在裂缝的情况相比，沟槽的透明度更高。

在上述光电转换元件中，特别优选为，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为40个以下的比例存在长度5μm以上的裂缝。