[发明专利]研磨用组合物

说明书

本发明涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物，提供获得良好的整体形状的研磨用组合物。将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足Wp≥Wc或Ww≥Wc≥Wp。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物。详细而言，涉及可以优选用于主要是硅晶圆等半导体基板以及其它研磨对象物的研磨的研磨用组合物。

背景技术

对于金属、半金属、非金属、其氧化物等的材料表面，一直进行使用研磨液的精密研磨。例如，作为半导体制品的构成要素等使用的硅晶圆的表面通常经过打磨(lapping)工序(粗研磨工序)和抛光(polishing)工序(精密研磨工序)而被精加工成高品质的镜面。上述抛光工序典型地包括预抛光工序(预研磨工序)和最终抛光工序(最终研磨工序)。作为涉及对硅晶圆等半导体基板进行研磨的用途中主要使用的研磨用组合物的技术文献，可以举出专利文献1～3。专利文献4涉及CMP工艺用的研磨液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-268667号公报

专利文献2：国际公开第2012/63757号

专利文献3：日本特开2014-041978号公报

专利文献4：国际公开第2004/100242号

发明内容

发明要解决的问题

近年来，关于硅晶圆等半导体基板以及其它基板，面积由于大口径化而变大，因此期望基板的整体形状的提高。在这种状况下，存在使用现有的研磨用组合物进行研磨时无法获得所期望的整体形状的问题。

本发明是鉴于上述情况完成的，目的在于提供得到良好的整体形状的研磨用组合物。

用于解决问题的方案

根据本发明，提供下述研磨用组合物，其中，将研磨用组合物的相对于研磨垫的适应性设为Wp、相对于研磨对象物的适应性设为Ww、相对于研磨对象物保持工具的适应性设为Wc时，满足以下的式(I)或式(II)的任意者。

Wp≥Wc(I)

Ww≥Wc≥Wp(II)

利用这样的研磨用组合物时，能够提高基板的整体形状。

在一个实施方式中，提供下述研磨用组合物，其中，将研磨用组合物的相对于研磨垫的后退接触角设为Cp、相对于研磨对象物的后退接触角设为Cw、相对于研磨对象物保持工具的后退接触角设为Cc时，满足以下的式(III)或式(IV)的任意者。

Cc≥Cp(III)

Cp≥Cc≥Cw(IV)

利用这样的研磨用组合物时，能够提高基板的整体形状。

在一个实施方式中，提供下述研磨用组合物，其中，将研磨用组合物的相对于研磨垫的动态表面张力设为Tp、相对于研磨对象物的动态表面张力设为Tw、相对于研磨对象物保持工具的动态表面张力设为Tc时，满足以下的式(V)或式(VI)的任意者。

Tp≥Tc(V)

Tw≥Tc≥Tp(VI)

利用这样的研磨用组合物时，可以提高基板的整体形状。

一个实施方式的研磨用组合物含有水溶性高分子以及盐。由此，能够更有效地发挥提高基板的整体形状的效果。