[发明专利]多层沉积处理装置

权利要求书

1.一种处理装置，其特征在于，包括：

提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以自等离子体室至少提取第一离子束与第二离子束；

靶材组件，设置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分与包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与所述第二离子束；以及

基板平台，配置为邻近所述靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别自所述第一点分离第一距离与第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离，

其中所述靶材组件设置在所述提取组件与所述基板之间，所述基板平台与所述基板在所述等离子体室外部，且

其中所述靶材组件的至少一部分延伸到所述等离子体室中。

2.根据权利要求1所述的处理装置，其中当所述基板平台在所述第一点与所述第二点之间扫描所述基板时，所述第一材料的第一层沉积于所述基板上，且所述第二材料的第二层沉积于所述第一层上。

3.根据权利要求1所述的处理装置，其中所述靶材组件至少包括三个靶材部分，且其中所述靶材组件围绕旋转轴为可旋转的，其中在第一架构中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别暴露于所述第一离子束与所述第二离子束，且其中在第二架构中包含第三材料的第三靶材部分暴露于所述第一离子束。

4.根据权利要求1所述的处理装置，其中所述第一靶材部分包括第一面，其中所述第一靶材部分沿着垂直于所述扫描轴的旋转轴为可旋转的，其中在第一方位中所述第一离子束相对于所述第一面形成第一入射角，且其中在第二方位中所述第一离子束相对于所述第一面形成第二入射角。

5.根据权利要求1所述的处理装置，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别具有第一面与第二面，所述第一面与所述第二面具有平面形状、凹面形状或凸面形状。

6.根据权利要求1所述的处理装置，其中所述靶材组件包括包含第三材料的第三靶材部分，其中所述第三靶材部分配置于与所述第一点相距第三距离处，所述第三距离大于所述第二距离，且其中所述提取组件包括第三提取孔隙，所述第三提取孔隙经设置以自所述等离子体提取第三离子束，所述第三靶材部分经设置以截取所述第三离子束。

7.根据权利要求1所述的处理装置，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分彼此相邻，其中所述靶材组件包括垂直于所述扫描轴的多边形剖面。

8.一种处理装置，其特征在于，包括：

等离子体室，用以容置等离子体；

提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以自所述等离子体室至少提取第一离子束与第二离子束；

靶材组件，配置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分与包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与所述第二离子束；以及

基板平台，配置为邻近所述靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间扫描基板，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别自所述第一点分离第一距离与第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离，

其中所述靶材组件设置在所述提取组件与所述基板之间，所述基板平台与所述基板在所述等离子体室外部，且

其中所述靶材组件的至少一部分延伸到所述等离子体室中。

9.根据权利要求8所述的处理装置，还包括偏压系统，所述偏压系统包括靶材偏压供应器以相对于所述等离子体室对所述靶材组件施加负偏压。

10.根据权利要求9所述的处理装置，其中所述靶材偏压供应器包括：

第一电压供应器，经设置以供应第一靶材偏压至所述第一靶材部分；以及

第二电压供应器，经设置以供应第二靶材偏压至所述第二靶材部分。