[发明专利]多层沉积处理装置

说明书

一种处理装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。本发明的处理装置可在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层，且可邻近等离子体室来提供基板。

技术领域

本实施例涉及一种处理装置及方法，尤其涉及一种在离子植入处理中控制处理的构件及方法。

背景技术

现今，有许多用以沉积膜层的技术，包括了化学气相沉积、物理气相沉积以及其他技术。为了处理复杂的结构(例如多层膜层)，在单独的处理室中沉积一系列的膜层可能是有利的。某些材料(例如金属)的沉积可使用各种溅镀或其他物理气相沉积技术来进行。对于多层沉积来说，此可能需要使用到多种不同靶材，且这些不同的靶材由不同的材料构成。在一些情况中，离子束溅镀可用来轰击多种不同的靶材，以沉积多层结构。此对于不同的材料提供了可将由特定不同材料的组合构成的多层结构沉积至大目标(extent target)的弹性方法。

关于已知的离子束溅镀方法的问题包括提供均匀涂层(例如多层结构)的能力。均匀性可能因自用于离子束溅镀的离子源不均匀地提取离子束以及自用于沉积膜层的靶材不均匀地溅镀材料而受影响。此外，用于多层沉积一些技术可能必需改变靶材以沉积不同材料。由于剥落(flaking)以及其他污染物，在依序沉积多层结构的期间过度地处理靶材可能在最终结构中产生缺陷。

对于上述以及其他的考量，本发明的改善会是有利的。

发明内容

本发明内容以简化的形式介绍一些概念的选择，在以下实施方式中做进一步的描述。本发明内容不意欲限定所保护的标的关键特征或必要特征，也不意欲用于决定所保护的标的的范围。

在一实施例中，装置可包括提取组件，提取组件至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束。所述装置亦可包括靶材组件，靶材组件设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束。所述装置可包括基板平台，基板平台配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，第一距离小于第二距离。

在另一实施例中，处理装置可包括：等离子体室，用以容置等离子体；提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束。所述处理装置亦可包括：靶材组件，配置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，第一距离小于第二距离。

在另一实施例中，装置可包括：等离子体室，用以容置等离子体；以及提取组件，包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以分别透过第一提取孔隙与第二提取孔隙自等离子体提取第一离子束与第二离子束。所述装置亦可包括：靶材组件，配置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)，靶材组件经配置以截取第一离子束；以及偏压系统，包括：靶材偏压供应器，相对于等离子体室对靶材组件施加负偏压；以及基板偏压供应器，提供基板偏压，以相对于等离子体室对基板施加负偏压。所述装置可更包括基板平台，基板平台经设置以在邻近第一提取孔隙的第一点与邻近第二提取孔隙的第二点之间扫描基板。

附图说明