[发明专利]用于加工引线框架的方法和引线框架有效
申请号: | 201680027799.0 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN107567659B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | D.里希特;B.霍兰德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/498;H01L25/075 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜;傅永霄 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 加工 引线 框架 方法 | ||
1.一种用于处理具有至少一个导电接触部分(401)的引线框架(400)的方法,其包括如下步骤:
- 在所述至少一个导电接触部分(401)中形成凹陷(701),以便形成第一导电接触子部分(703)和第二导电接触子部分(705),其借助于所述凹陷(701)彼此分隔开,
- 形成由壳体材料制成的壳体(1001),所述壳体包括至少部分地嵌入所述引线框架(400)的壳体框架(1003),所述壳体(1001)的形成包括将壳体材料引入到所述凹陷(701)中,以便借助于引入到所述凹陷(701)中的所述壳体材料形成的壳体框架部分(1005)在所述第一导电接触子部分(703)和所述第二导电接触子部分(705)之间形成,以便借助于所述壳体框架部分(1005)机械地稳定所述第一导电接触子部分(703)和所述第二导电接触子部分(705),
- 通过移除所述凹陷(701)而使所述第一导电接触子部分(703)和所述第二导电接触子部分(705)彼此分离,以便所述第一导电接触子部分(703)和所述第二导电接触子部分(705)彼此电气绝缘。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述壳体框架部分(1005)的形成包括布置在所述凹陷(701)外侧的粘合剂屏障部分(1605)的形成,以便所述壳体框架部分(1005)包括布置在所述凹陷(701)外侧的粘合剂屏障部分(1605)。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述粘合剂屏障部分(1605)在横截面中具有蘑菇形状,所述蘑菇形状具有在所述第一导电接触子部分(703)和所述第二导电接触子部分(705)之间的细长截面以及从细长截面继续的弓形截面。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,在多个导电接触部分的情况下,这些至少部分地借助于至少一个机械稳定元件(407)连接,其在所述壳体(1001)的形成期间被至少部分地嵌入在所述壳体框架(1003)中。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在形成所述壳体(1001)之后移除所述至少一个机械稳定元件(407)。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述移除包括蚀刻。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述分离包括蚀刻。
8.根据权利要求1-3和5-7中的任一项所述的方法,其中,所述凹陷(701)的形成包括蚀刻。
9.根据权利要求6或7所述的方法,其中,预期保持不发生蚀刻的区域设有蚀刻保护层(2301)。
10.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述蚀刻包括干法蚀刻和/或湿法蚀刻。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述干法蚀刻包括氯蚀刻,和/或其中,所述湿法蚀刻包括借助于HCl和FeCl3的蚀刻。
12.根据权利要求6、7和11中的任一项所述的方法,其中,在形成所述壳体(1001)之前,所述导电接触部分(401)部分地涂覆有金属,以便形成金属覆层,待蚀刻的区域保持没有金属层覆层。
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