[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

本征非晶质半导体层，以与所述半导体基板的一个面相接的方式形成；

多个第1非晶质半导体层，在第一方向上分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，具有第1导电类型；

多个第2非晶质半导体层，在所述第一方向上分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，且在与所述第一方向正交的第二方向上邻接于所述第1非晶质半导体层而形成，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；与

保护层，从所述多个第1非晶质半导体层上覆盖在所述第一方向上邻接的多个所述第1非晶质半导体层之间的所述本征非晶质半导体层，且从所述多个第2非晶质半导体层上覆盖在所述第一方向上邻接的多个所述第2非晶质半导体层之间的所述本征非晶质半导体层；

所述保护层与所述多个第1非晶质半导体层的各个部分地重叠，且与所述多个第2非晶质半导体层的各个部分地重叠。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述保护层含有绝缘膜。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，

所述保护层包含进而与所述第1非晶质半导体层及所述第2非晶质半导体层的各者相接的电极。

4.根据权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，

所述绝缘膜进而以于邻接的所述第1非晶质半导体层及所述第2非晶质半导体层之间与所述本征非晶质半导体层相接的方式形成。

5.根据权利要求4所述的光电转换装置，其特征在于，

所述保护层，包含进而与所述第1非晶质半导体层及所述第2非晶质半导体层的各者相接的电极；

所述绝缘膜是以与所述电极的端部附近重叠的方式形成。