[发明专利]光电转换装置

说明书

光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

技术领域

本发明与光电转换装置装置有关。

背景技术

日本特开2010－283406号公报中揭示有背面电极型太阳能电池。该背面电极型太阳能电池于单晶硅基板的背面形成非晶硅层，于其上交互地形成有n型非晶质半导体层与p型非晶质半导体层。然后，于n型非晶质半导体层与p型非晶质半导体层上分别形成有电极。于该背面电极型太阳能电池中，n型非晶质半导体层是由分隔而配置的2个岛状n型非晶质半导体层构成，p型非晶质半导体层是由一连串的半导体层构成。

发明内容

于日本特开2010－283406号公报的情形，于邻接的岛状n型非晶质半导体层之间，或n型非晶质半导体层与p型非晶质半导体层之间的区域，非晶硅层会成为最表面。因此，水分或有机物等容易自外部进入非晶硅层，钝化性降低，导致光电转装置的劣化。

本发明的目的在于提供能够抑制光电转换装置的劣化的技术。

本发明的光电转换装置具备半导体基板；本征非晶质半导体层，以与所述半导体基板的一个面相接的方式形成；第1非晶质半导体层，分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，具有第1导电类型；第2非晶质半导体层，分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，且于所述半导体基板的面内方向邻接于所述第1非晶质半导体层而形成，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；与保护层，以在邻接的所述第1非晶质半导体层之间及邻接的所述第2非晶质半导体层之间与所述本征非晶质半导体层相接的方式形成。

根据本发明，能够抑制光电转装置的劣化。

附图说明

图1为表示第一实施方式的光电转换装置的平面的示意图。

图2A为表示图1所示的光电转换装置的A－A截面的示意图。

图2B为表示图1所示的光电转换装置的B－B截面的示意图。

图3A为例示p型非晶质半导体层的截面结构的示意图。

图3B为例示p型非晶质半导体层的其他截面结构的示意图。

图3C为例示p型非晶质半导体层的其他截面结构的示意图。

图3D的(a)为表示测量自i型非晶质半导体层与硅基板的表面的界面至非晶质半导体层的表面的膜厚的结果的示意图。图3D的(b)为表示将图3D的(a)所示的膜厚进行绘图修正的结果的示意图。

图4为表示第一实施方式的配线片的平面的示意图。

图5A说明图1所示的光电转换装置的制造步骤的图，且为于硅基板形成纹理(texture)的状态的截面图。

图5B为表示于图5A所示的于硅基板的受光面形成抗反射膜的状态的截面图。

图5C为于图5B所示的于硅基板的背面形成i型非晶质半导体层与p型非晶质半导体层的状态的截面图。

图5D为于图5C所示的于硅基板的背面形成n型非晶质半导体层的状态的截面图。

图5E为于图5D所示的于p型非晶质半导体层及n型非晶质半导体层上形成电极的状态的截面图。