[发明专利]屏蔽板以及测定装置

说明书

技术领域

本发明的一个方式涉及用于测定对象的温度测定的屏蔽板以及测定装置。

背景技术

一直以来，作为非接触地测定半导体器件等测定对象的表面温度的方法，已知有例如专利文献1所记载的方法。在专利文献1所记载的方法中，使用辅助热源(面黑体)将热线照射于测定对象的放射率不同的2个地方，并用红外照相机检测测定对象所产生的热线和在测定对象上被反射的从辅助热源产生的热线重叠了的热线。通过改变辅助热源的温度来检测上述热线，从而能够非接触且高精度地测定放射率未知的测定对象的表面温度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2012-127678号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在此，在专利文献1中，从辅助热源照射至测定对象的热线和测定对象所产生的热线不能够被配置于同轴上。即，与测定对象所产生的热线的路径分开，存在从辅助热源照射到测定对象的热线的路径。在这样的结构中，为了从辅助热源将热线照射至测定对象而有必要将辅助热源设置于与连结测定对象和红外照相机的路径不同的位置。由此，专利文献1的方法仅能够适用于测定具有某种程度大小的测定对象的装置，不能够适用于半导体器件检查装置等的使用微光学系统的装置。

本发明的一个方式是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于，在微光学系统的装置中能够非接触且高精度地测定测定对象的表面温度。

解决问题的技术手段

本发明的一个方式所涉及的屏蔽板是用于测定对象的温度的非接触测定的屏蔽板，具备能够调整温度的基材，位于基材的一侧的第1面的热放射量大于位于第1面的相反侧的第2面的热放射量，第1面是放射红外线的黑体面。

在该屏蔽板中，热放射量在第1面和第2面上不同，第1面的热放射量大于第2面的热放射量，第1面为放射红外线(热线)的黑体面。因此，例如在半导体器件检查装置等微光学系统中，在以与测定对象相对的方式配置黑体面即第1面的情况下，第1面作为辅助热源进行作用，并从第1面相对于测定对象放射红外线。另外，在作为辅助热源进行作用的第1面与测定对象相对而配置的情况下，在上述的半导体器件检查装置等中，屏蔽板被配置于测定对象与对红外线进行导光的物镜(导光光学系统)之间。在此情况下，能够用摄像部(红外照相机(红外线检测器))检测对应于从第1面被放射的红外线而在测定对象上被反射的红外线与测定对象自身所发出的红外线重叠了的红外线。另外，因为在屏蔽板上具备能够调整温度的基材，所以能够一边改变辅助热源即第1面的温度一边用摄像部检测上述重叠了的红外线。由此，能够非接触且高精度地测定放射率未知的测定对象的表面温度。

在此，在屏蔽板被配置于测定对象与捕捉红外线的摄像部之间的结构中，从辅助热源即第1面照射到测定对象的红外线和测定对象所产生的红外线被配置于同轴上。由此，辅助热源不会被设置于与连结测定对象和摄像部的路径不同的位置。因此，在半导体器件检测装置等微光学系统中也能够非接触地测定测定对象的表面温度。根据以上所述，根据该屏蔽板，在微光学系统的装置中，能够非接触且高精度地测定测定对象的表面温度。

另外，也可以是基材具有基板层、将第1面作为外表面的第1层、以在与第1层之间夹持基板层的方式被设置的将第2面作为外表面的第2层，第1层的热放射量大于第2层的热放射量。这样，通过基材被作为三层结构并且第1层的热放射量被控制成大于第2层的热放射量，从而能够容易地使第1面的热放射量与第2面的热放射量不同。

另外，也可以是基材具有将第2面作为外表面的基板层、以重叠于基板层的方式被设置的将第1面作为外表面的第1层，第1层的热放射量大于基板层的热放射量。通过第1层的热放射量被控制成大于基板层的热放射量，从而能够容易地使第1面的热放射量与第2面的热放射量不同。另外，通过基材被作为基板层和第1层的双层结构从而屏蔽板的制作变得容易。

另外，也可以是基材具有将第1面作为外表面的基板层、以重叠于基板层的方式被设置的将第2面作为外表面的第2层，第2层的热放射量小于基板层的热放射量。通过第2层的热放射量被控制成小于基板层的热放射量，从而能够容易地使第1面的热放射量与第2面的热放射量不同。另外，通过基材被作为基板层和第2层的双层结构从而屏蔽板的制作变得容易。

另外，第1面也可以通过被黑化处理来形成。通过由黑化处理来形成第1面从而屏蔽板的制作变得更加容易并且能够减少部件个数。