[发明专利]碳化硅半导体基板、碳化硅半导体基板的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680030936.6 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107636808B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 俵武志 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/66;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 制造 方法 装置 | ||
1.一种碳化硅半导体基板，其特征在于，包括：
第一导电型的碳化硅基板；
第一导电型的外延层，设置于所述碳化硅基板的正面，具有1×1017/cm3以上且1×1018/cm3以下的杂质浓度，膜厚为1μm以上且5μm以下，并且所述外延层的杂质浓度为所述碳化硅基板的杂质浓度的1/3以下的低杂质浓度；
第一导电型的缓冲层，设置于所述外延层的与所述碳化硅基板侧相反一侧的表面，且所述缓冲层的杂质浓度与所述外延层的杂质浓度的比为3倍以上；以及
第一导电型的漂移层，设置于所述缓冲层的与所述碳化硅基板侧相反一侧的表面，杂质浓度为比所述缓冲层的杂质浓度低且能够在所述缓冲层与所述漂移层的界面反射红外光的杂质浓度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体基板，其特征在于，
所述缓冲层的厚度为3μm以上。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体基板，其特征在于，
所述碳化硅基板的杂质浓度为1×1018/cm3以上且2×1019/cm3以下。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体基板，其特征在于，
所述缓冲层的杂质浓度为7×1018/cm3以上且2×1019/cm3以下。
5.一种碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：
在第一导电型的碳化硅基板的正面形成具有1×1017/cm3以上且1×1018/cm3以下的杂质浓度、膜厚为1μm以上且5μm以下，并且杂质浓度为所述碳化硅基板的杂质浓度的1/3以下的低杂质浓度的第一导电型的外延层的工序；
在所述外延层的与所述碳化硅基板侧相反一侧的表面形成第一导电型的缓冲层的工序，其中，所述缓冲层的杂质浓度与所述外延层的杂质浓度的比为3倍以上；以及
在所述缓冲层的与所述碳化硅基板侧相反一侧的表面形成杂质浓度为比所述缓冲层的杂质浓度低且能够在与所述缓冲层之间的界面反射红外光的杂质浓度的第一导电型的漂移层的工序。
6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层的厚度为3μm以上。
7.根据权利要求5所述的碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，
所述碳化硅基板的杂质浓度为1×1018/cm3以上且2×1019/cm3以下。
8.根据权利要求5所述的碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层的杂质浓度为7×1018/cm3以上且2×1019/cm3以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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