[发明专利]粘合片

说明书

本发明涉及一种粘合片(10)，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的，该粘合片(10)具有：基材(11)、包含粘合剂的粘合剂层(12)、以及设置于基材(11)和粘合剂层(12)之间的低聚物密封层(13)。

技术领域

本发明涉及粘合片。

背景技术

对于在半导体装置的制造工序中使用的粘合片要求各种特性。近年来，对于粘合片，要求即使经过施加高温条件的工序也不会污染制造工序中使用的装置、构件及被粘附物的性质。此外，还要求在高温条件的工序后、在室温下将粘合片剥离时粘合剂残留于被粘附物等这样的不良情况(所谓的残糊)少，并且剥离力小。

例如，专利文献1中记载了一种抑制了粘合剂的残糊、用于稳定地生产QFN(方形扁平无引线、Quad Flat Non-lead)的半导体封装的掩模片。专利文献1中记载了以下内容：通过使用特定的耐热膜及有机硅类粘合剂来制作掩模片，在芯片粘贴(ダイアタッチ)工序及树脂密封工序中能够耐受150℃～180℃、1小时～6小时的环境。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-275435号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，即使是在施加了180℃以上且200℃以下这样的高温条件的工序中也使用了粘合片。已知在这样的高温的工序中，例如使用了与聚酰亚胺膜等相比耐热性低且廉价的膜(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯等的膜)作为基材的情况下，在工序结束后从被粘附物上将粘合片剥下时，被粘附物的表面会被污染。作为这样的污染的原因，认为是由于作为基材使用的树脂膜中所含的低分子量成分(低聚物)在被粘附物的表面析出。例如，在对粘贴于粘合片的粘合剂层上的半导体元件进行树脂密封的工序中施加高温条件时，存在半导体元件的表面被污染而在半导体装置中产生不良情况的可能。

本发明的目的在于提供一种粘合片，该粘合片即使在经过了施加高温条件的工序之后，也可以防止被粘附物的表面污染。

解决问题的方法

按照本发明的一个方式，提供一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的，该粘合片具有：基材、包含粘合剂的粘合剂层、以及设置于所述基材和所述粘合剂层之间的低聚物密封层。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述低聚物密封层是使低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，所述低聚物密封层用组合物包含：环氧化合物、聚酯化合物和多官能氨基化合物。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述低聚物密封层用组合物包含：(A)50质量％以上且80质量％以下的双酚A型环氧化合物、(B)5质量％以上且30质量％以下的聚酯化合物、和(C)10质量％以上且40质量％以下的多官能氨基化合物。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述基材在100℃下的储能模量为1×10⁷Pa以上。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述粘合剂层具有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述丙烯酸类粘合剂组合物包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述有机硅类粘合剂组合物包含加聚型有机硅树脂。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选在所述基材的两面具有所述低聚物密封层。

在本发明的一个方式所涉及的粘合片中，优选所述基材包含聚酯类树脂。

根据本发明，可以提供即使在经过了施加高温条件的工序之后，也能够防止被粘附物的表面污染的粘合片。