[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：

-半导体芯片(1)，所述半导体芯片划分成多个沿横向方向彼此并排设置的、能单独且独立操控的像点(10)，

-金属的连接元件(2)，所述连接元件具有上侧(20)和下侧(21)，其中

-所述半导体芯片(1)在支承区域中与所述连接元件(2)的所述上侧(20)直接接触，并且与所述连接元件机械稳定地连接，

-所述连接元件(2)包括连贯的、金属的连接层(22)，所述连接层由多个沿横向方向彼此并排设置的金属的第一过孔(23)完全地穿过，

-所述连接层(22)沿垂直于所述横向方向的方向与所述上侧(20)和所述下侧(21)齐平连接，

-所述第一过孔(23)通过绝缘区域(24)与所述连接层(22)电绝缘且间隔开，

-每个第一过孔(23)一一对应地与一个像点(10)相关联，与这一个像点(10)导电连接并且形成这一个像点(10)的第一电接触部，

-所述半导体芯片(1)通过所述连接元件(2)机械稳定地且导电地与直接位于所述连接元件(2)的所述下侧(21)上的载体(3)连接。

2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，其中

-所述载体(3)是有源基体元件(3)，

-所述有源基体元件(3)包括多个开关(30)，

-每个开关(30)经由第一过孔(23)一对一地与一个像点(10)相关联，并且与这一个像点(10)导电连接，

-在运行中经由所述开关(30)能够单独地且独立地操控所述像点(10)。

3.根据权利要求2所述的光电子器件(100)，其中

-其中所述支承区域的面积至少为所述半导体芯片(1)的朝向所述上侧(20)的安装侧(18)的面积的7/12，

-所述第一过孔(23)与所述半导体芯片(1)的第一接触元件(13)和/或与所述有源基体元件(3)的第一接触元件(33)直接电接触和机械接触，

-所述第一过孔(23)沿垂直于所述横向方向的方向与所述第一接触元件(13，33)非一件式地构成。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，其中所述半导体芯片(1)为像素化的和/或分区段的半导体芯片。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，其中

-所述第一过孔(23)和/或所述连接层(22)在垂直于所述横向方向的方向上非一件式地构成，

-所述连接层(22)和/或所述第一过孔(23)在垂直于所述横向方向的方向上分别具有多层结构或由多层结构构成，所述多层结构由多个、彼此上下叠加的、不同的、金属的单层构成。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，其中所述第一过孔(23)和/或所述连接层(22)具有下述合金中的一种或多种和/或下述层结构中的一种或多种，或者由下述合金中的一种或多种和/或下述层结构中的一种或多种构成：Au_xSn_y、Cr/Ni_xSn_yTi_zAu_w、Ti/Pt_ySn_zIn_x、Ti/Pt_xSn_yTi_zAu_w。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件(100)，其中

-所述第一过孔(23)和/或所述连接层(22)具有至少两个沿竖直方向彼此叠加设置的单层，在所述单层之间构成边界面，

-至少两个所述单层经由晶片键合在所述边界面处彼此连接，

-所述单层具有Cu和/或Au和/或Ni和/或Ag或由其构成。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，其中

-所述第一过孔(23)和/或所述连接层(22)是多孔的，其中孔的份额为至少10体积％。

9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，其中

-所述绝缘区域(24)是用气体填充的空腔，

-所述连接元件(2)的至少60体积％由金属构成。