[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法在审
申请号: | 201680031107.X | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN107667436A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 亚历山大·F·普福伊费尔;诺温·文马尔姆;斯特凡·格勒奇;安德烈亚斯·普洛斯尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
技术领域
提出一种光电子器件。此外,提出一种用于制造光电子器件的方法。相关申请的交叉参引
本申请要求德国专利申请10 2015 108 545.3的优先权,其公开内容在此通过参考并入本文。
发明内容
要实现的目的在于:提出一种电连接的几何形状尤其简单的光电子器件。另一要实现的目的在于:提出一种用于制造这种器件的方法。
所述目的通过独立权利要求的主题和方法来实现。有利的设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式,光电子器件包括半导体芯片,所述半导体芯片划分成多个沿横向方向彼此并排设置的、能单独且独立操控的像点,英文为Pixel(像素)。半导体芯片因此尤其能够是像素化的和/或分区段的半导体芯片。经由半导体芯片的辐射出射面,在运行中能够从半导体芯片中发射辐射,所述辐射出射面例如形成半导体芯片的平行于横向方向伸展的主侧,其中每个像点为辐射出射面的一部分。辐射出射面例如形成显示器。半导体芯片例如能够包括至少50个或100个或200个或1000个这种像点。在此,像点的平行于辐射出射面的横向尺寸例如在30μm和300μm之间,其中包括边界值。半导体芯片的辐射出射面例如具有在1mm2和50mm2之间的面积,其中包括边界值。但是也可行的是:半导体芯片形成高分辨率的显示器,例如用于Full HD应用(全高清应用)。在该情况下,像点也能够具有在2μm和5μm之间的横向尺寸,其中包括边界值。
尤其将半导体芯片理解为具有集成的电子接触部和/或电路的功能半导体小板。优选地,半导体芯片是自身的且可单独操作的模块,所述模块能够插接或焊接或粘贴到载体上并且以该方式电接触。
根据至少一个实施方式,光电子器件具有金属的连接元件,所述连接元件具有上侧和下侧。上侧和下侧例如形成连接元件的相对置的、基本上彼此平行伸展的主侧。
根据至少一个实施方式,半导体芯片在支承区域中与连接元件的上侧直接接触,并且经由所述支承区域与连接元件机械稳定地连接。在此优选地,半导体芯片的与辐射出射面相对置的安装侧与连接元件的上侧直接接触。
在此,支承区域是如下区域,尤其仅是如下区域,在所述区域中,半导体芯片的固体材料与连接元件的固体材料直接接触。“固体材料”优选是非气态材料。半导体芯片能够通过平放在支承区域中由连接元件机械支撑。连接元件在此能够是自承的或为了机械稳定而需要半导体芯片或另一载体。
根据至少一个实施方式,连接元件包括连贯的、金属的连接层,所述连接层由多个沿横向方向彼此并排设置的、金属的第一过孔完全地穿过。因此,第一过孔至少从下侧伸展至上侧。第一过孔能够是金属的且导电的销,所述销插过连接层。
“金属的”在此和在下文中能够表示:相应的金属元件的至少90重量%或99重量%由金属构成。
连接层连贯地、但是非简单连贯地(einfach)构成,即具有孔状的穿口。在上侧的俯视图中,第一过孔于是横向完全地由连接层包围。例如,在每个穿口中仅设置有一个第一过孔。根据至少一个实施方式,连接层在垂直于横向方向的方向上与上侧和下侧齐平连接。这尤其表示:连接层形成上侧和下侧的一部分。连接层和第一过孔也能够在上侧和/或下侧上彼此齐平连接。
根据至少一个实施方式,第一过孔通过绝缘区域与连接层电绝缘且间隔开。在此,绝缘区域防止:在第一过孔和连接层之间出现直接的机械和电接触。
根据至少一个实施方式,每个第一过孔一一对应地或一对一地与半导体芯片的一个像点相关联,并且与这一个像点导电连接。每个第一过孔尤其形成相关联的像点的第一电接触部。因此,经由相关联的第一过孔能够电接触相应的像点。
根据至少一个实施方式,半导体芯片通过连接元件机械稳定地且导电地与直接位于连接元件的下侧上的载体连接。连接元件或连接层和载体在下侧上直接机械接触和可能电接触。在连接元件或连接层和载体之间因此不设置有另外的金属层或绝缘层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680031107.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。