[发明专利]用于迭代缺陷分类的方法及系统

说明书

缺陷分类包含：获取包含多个缺陷的样本的一或多个图像；基于所述缺陷的属性将所述缺陷分组成缺陷类型群组；从用户接口装置接收指示来自所述群组的选定数目个缺陷的第一手动分类的信号；基于所述第一手动分类及所述缺陷的所述属性产生分类器；使用所述分类器对未由所述手动分类手动分类的一或多个缺陷分类；识别由所述分类器分类的具有最低置信度的所述缺陷；从所述用户接口装置接收指示具有所述最低置信度的所述缺陷的额外手动分类的信号；确定所述额外手动分类是否识别在所述第一手动分类中未识别的一或多个额外缺陷类型；及迭代过程直到未发现新缺陷类型。

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及且主张来自下文所列申请案(“相关申请案”)的最早可用的有效申请日期的权利(例如，主张除临时专利申请案以外的最早可用的优先日期，或根据35USC§119(e)规定主张临时专利申请案、所述相关申请案的任何及全部父代申请案、祖父代申请案、曾祖父代申请案等等的权利)。

相关申请案：

出于美国专利商标局(USPTO)的额外法定要求，本申请案构成2015年6月5日申请的序列号为62/171,898的申请案的以桑卡尔·文卡塔拉曼(Sankar Venkataraman)、李·何(Li He)、约翰·约旦(John Jordan)、奥克森·巴里斯(Oksen Baris)及哈什·辛哈(Harsh Sinha)为发明者的标题为迭代缺陷分类策略(ITERATIVE DEFECT CLASSIFICATIONSTRATEGY)的美国临时专利申请案的正规(非临时)专利申请案。序列号为62/171,898的申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及缺陷重检及分类，且特定来说，本发明涉及迭代缺陷分类。

背景技术

制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制造工艺处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的多种特征及多个层级。随着半导体装置大小变得越来越小，开发增强的检验及重检装置及过程变得至关重要。一个此过程包含分类且分析样本(例如晶片)上的缺陷。如贯穿本发明使用的术语“晶片”通常是指由半导体或非半导体材料形成的衬底。举例来说，半导体或非半导体材料可包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。

缺陷重检是用户通过其重检由检验器或检验工具获取的缺陷的过程。缺陷重检需要基于一组缺陷属性的缺陷分类及缺陷类型的区分或分离。然而，当前缺陷分类方法具有若干限制。现有方法涉及视觉分析一或多个扫描电子显微镜(SEM)图像以基于在人类重检过程期间观察到的缺陷类型指派类别码。此手动重检及分类过程遭受若干缺点。首先，应注意，通常用户以每小时少于1000个缺陷对图像进行分类。鉴于典型样品大小可大于4000个缺陷，因此手动分类过程缓慢。另外，此过程是用户密集且易受人为误差影响。

因而，提供一种解决上文识别的缺点的提供改进缺陷分类的系统及方法将是有利的。

发明内容