[发明专利]半导体加工用带有效
| 申请号： | 201680032247.9 | 申请日： | 2016-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN107614641B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 青山真沙美;佐野透 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;B32B15/08;C09J11/04;C09J11/06;C09J133/06;C09J163/00;C09J171/12;C09J175/14;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体加工用带，其特征在于，其具有：
含有基材膜和粘合剂层的切割带、
设置在所述粘合剂层上的金属层、和
设置在所述金属层上且用于将所述金属层粘接到半导体芯片的背面的粘接剂层，
所述金属层的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm，
所述粘接剂层含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料，所述(D)的含量相对于所述(A)～(D)的总计为40重量％以上且65重量％以下，
所述粘接剂层的饱和吸湿率为1.0vol％以下，残留挥发成分为3.0wt％以下。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，
所述金属层为铜箔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用带，其特征在于，
所述粘合剂层含有由CH2＝CHCOOR所表示的丙烯酸酯、含羟基的单体和分子内具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物构成的丙烯酸系聚合物，式中，R为碳原子数为4～8的烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680032247.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
