[发明专利]半导体加工用带

说明书

本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。

技术领域

本发明涉及半导体加工用带，特别是涉及具有金属层的半导体加工用带，所述金属层用于保护以倒装(face down)方式安装的半导体芯片的背面。

背景技术

近年来，更进一步要求半导体装置及其封装的薄型化、小型化。进行使用了被称为所谓的倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上形成用于确保导通的被称为隆起的凸状的电极而成的半导体芯片，使电路面翻转(倒装)，成为将电极连接于基板上的结构(所谓的倒装片连接)。

在这样的半导体装置中，有时通过半导体加工用带来保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等(参照专利文献1)。进而，还已知有在半导体元件上介由粘接层而贴附包含金属层和粘接层的单面粘接膜(参照专利文献2)。

作为倒装片连接的代表性步骤，将形成于粘接了半导体加工用带的半导体芯片表面上的焊料隆起等浸渍在焊剂中，之后使隆起与形成于基板上的电极(根据需要在该电极上也形成有焊料隆起)接触，最后使焊料隆起熔融而使焊料隆起与电极进行回流焊。焊剂是为了洗涤软钎焊时的焊料隆起或防止氧化、改善焊料的润湿性等而使用的。通过以上的步骤，能够构筑半导体芯片与基板之间的良好的电连接。

因此，作为即使焊剂附着也能够防止污垢的产生、能够制造外观性优异的半导体装置的半导体加工用带，提出了具备粘接剂层和层叠于该粘接剂层上的保护层、且由玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂或金属构成保护层的倒装片型半导体背面用膜(参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-158026号公报

专利文献2：日本特开2007-235022号公报

专利文献3：日本特开2012-033626号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如上述专利文献1那样，在通过放射线或热使包含放射线固化性成分或热固化性成分的树脂固化而形成保护膜时，由于固化后的保护膜与半导体晶圆的热膨胀系数差大，所以存在在加工途中的半导体晶圆或半导体芯片中产生翘曲的问题。

然而，在上述专利文献2或专利文献3中，金属的保护层与粘接剂层的粘接力不充分，在封装时，产生在保护层与粘接剂层之间产生封装裂纹、可靠性下降的问题。此外，在专利文献3中，也公开了在基材上层叠有粘合剂层的切割带的粘合剂层上设置有保护层及粘接剂层的倒装片型半导体背面用膜。使用这样的切割带一体型的倒装片型半导体背面用膜时，保护层与粘合剂层的粘接力不充分，在将半导体晶圆单片化成芯片状的切割时，存在在保护层与粘合剂层之间产生剥离，无法将半导体晶圆良好地单片化的问题。

因此，本发明的课题是提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。

用于解决课题的方案

为了解决以上的课题，本发明所述的半导体加工用带的特征在于，其具有含有基材膜和粘合剂层的切割带、设置在上述粘合剂层上的金属层、和设置在上述金属层上且用于将上述金属层粘接到半导体芯片的背面的粘接剂层，上述金属层的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。