[发明专利]存储设备和存储系统

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

n个存储单元部件，所述n个存储单元部件被设置在基板上，并且沿着在第一方向上作为从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件按顺序堆叠，

所述n个存储单元部件中的每一个包括

一个或多个第一电极，

被设置成分别与第一电极相交的多个第二电极，

设置在第一电极与所述多个第二电极的各个交点处的多个存储单元并且每个所述存储单元与第一电极和第二电极两者耦合，和

耦合到第一电极来形成一个或多个耦合部分的一条或多条引出线，

存储单元部件中的第(m+1)个存储单元部件中的一个或多个耦合部分位于该一个或多个耦合部分与第m个存储单元区域在第一方向上相互重叠的位置，其中m表示等于或小于n的自然数，在所述存储单元部件中的第m个存储单元部件中，所述第m个存储单元区域被多个存储单元围绕，

其中在第(m+1)个存储单元部件中，被多个存储单元围绕的第(m+1)个存储单元区域比第m个存储单元区域窄。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中第(m+1)个存储单元部件中的耦合部分位于该耦合部分与第m个存储单元部件中的多个存储单元在第一方向相互重叠的位置。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中第(m+1)个存储单元部件中的多个存储单元的数量小于第m个存储单元部件中的多个存储单元的数量。

4.根据权利要求1所述的存储设备，其中

存储单元包括电阻变化元件，所述电阻变化元件包括离子供给层和绝缘层的堆叠结构，并且

所述电阻变化元件介于第一电极和第二电极之间。

5.根据权利要求1所述的存储设备，还包括耦合到引出线的驱动电路。

6.根据权利要求1所述的存储设备，其中

第一电极包括沿着与第一方向正交的第一表面延伸的板状电极，

所述多个第二电极包括分别从所述板状电极朝向基板直立的多个柱状电极，和

第(m+1)个存储单元部件中的板状电极具有比第m个存储单元部件中的板状电极的占用面积小的占用面积。

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中

第一电极包括分别在沿着与第一方向正交的第一表面的第二方向上延伸并且在沿着第一表面的第三方向上交替布置的多个第一线状电极和多个第二线状电极，

该多个第二电极包括分别介于彼此相邻的第一线状电极和第二线状电极之间的多个柱状电极，

所述多个存储单元包括多个储存层，每个储存层介于所述多个柱状电极中的对应一个柱状电极与所述多个第一线状电极和所述多个第二线状电极中的每一者的对应一个线状电极之间，第一线状电极和第二线状电极彼此对置来将柱状电极夹在中间，以及

引出线包括第一接触立柱和第二接触立柱，所述第一接触立柱通过耦合到第一线状电极形成作为所述耦合部分的第一耦合部分，并且所述第二接触立柱通过耦合到第二线状电极形成作为所述耦合部分的第二耦合部分。

8.根据权利要求7所述的存储设备，其中

第(m+1)个存储单元部件中的第一线状电极在第二方向上的尺寸小于第m个存储单元部件中的第一线状电极在第二方向上的尺寸，并且

第(m+1)个存储单元部件中的第二线状电极在第二方向上的尺寸小于第m个存储单元部件中的第二线状电极在第二方向上的尺寸。

9.根据权利要求7所述的存储设备，其中

与第m个存储单元部件中的各个第一线状电极耦合的多个第一接触立柱共同耦合到第一横梁之一，和

与第m个存储单元部件中的各个第二线状电极耦合的多个第二接触立柱共同耦合到第二横梁之一。

10.根据权利要求6所述的存储设备，还包括在沿着第一表面的第二方向上布置的并且在与第二方向相交的沿着第一表面的第三方向上延伸的多条选择线，所述多条选择线均耦合到在第三方向上布置的多个第二电极。