[发明专利]存储设备和存储系统有效

专利信息
申请号: 201680032405.0 申请日: 2016-05-18
公开(公告)号: CN107615482B 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 寺田晴彦 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 郑宗玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 设备 存储系统
【说明书】:

提供一种具有适合于更高集成化的结构的同时确保制造的容易性的存储设备。所述存储设备具备沿着第一方向、从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件相继层叠在基板上的n个存储单元部件。所述n个存储单元部件中每一个都包括:一个或多个第一电极;都被设置成与第一电极相交的多个第二电极;布置在第一电极和多个第二电极中的每一个的相交点的多个存储单元,所述多个存储单元分别连接到第一电极和第二电极两者;和连接到第一电极,形成一个或多个连接部分的一条或多条引出线。第(m+1)个存储单元部件中的至少一个连接部分被布置成在第一方向上、与在第m个存储单元部件中被多个存储单元围绕的第m个存储单元区域重叠。

技术领域

本公开涉及包括多个非易失性存储部分的存储设备和存储系统。

背景技术

直至目前为止,已经在存储单元的集成度的提高方面研究了包括多个非易失性存储单元的存储设备。近年来,为了应对存储单元的更高集成化,提出了三维地布置多个存储单元的存储设备(例如参见PTL 1-3)。

引用列表

专利文献

PTL 1:未经审查的日本专利申请公开号2011-222994

PTL 2:国际公开号WO 2012/070236的说明书

PTL 3:未经审查的日本专利申请公开号2011-114011

发明内容

顺便提及,最近存在对存储单元的更高集成化的增长的需求。

因此,期望的是提供一种具有适合于更高集成化的结构、同时确保制造的容易性的存储设备。此外,期望的是提供包括这样的存储设备的存储系统。

根据本公开的实施例的存储设备具被设置在基板上、并且沿着在第一方向上作为从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件按顺序堆叠的n个存储单元部件。该n个存储单元部件都包括一个或多个第一电极、多个第二电极、多个存储单元和一条或多条引出线。所述多个第二电极都被设置成与第一电极相交。所述多个存储单元被设置在第一电极和多个第二电极的各个交点。所述多个存储单元都与第一电极和第二电极两者耦合。所述一条或多条引出线耦合到第一电极来形成一个或多个耦合部分。这里,第(m+1)个(m表示等于或小于n的自然数)存储单元部件中的一个或多个耦合部分位于所述一个或多个耦合部分与在第m个存储单元部件中被多个存储单元围绕的第m个存储单元区域在第一方向相互重叠的位置。换句话说,所述存储设备允许第一方向的第m个存储单元区域中的投影图像与第一方向的第(m+1)个存储单元部件中的耦合部分中的投影图像相互重叠。

根据本公开的实施例的存储系统包括上述存储设备和控制所述存储设备的控制器。

在根据本公开的各个实施例的存储设备和存储系统中,第(m+1)个存储单元部件中的一个或多个耦合部分位于所述一个或多个耦合部分与第m个存储单元部件中的存储单元区域相互重叠的位置。从而,能够允许存储设备总体上在预定空间中具有更多的存储单元。

根据作为本公开的各个实施例的存储设备和存储系统,能够实现更高的集成化。注意,本公开的效果不限于上述效果,可以是记载在下面的任意效果。

附图说明

图1是根据本公开的第一实施例的存储设备的总体构造示例的透视图。

图2是示出图1中示出的存储设备的一部分的等效电路图。

图3是被应用于图1中示出的存储设备的选择晶体管的示例的放大透视图。

图4A是被应用于图1中示出的存储设备的存储单元的放大透视图及其等效电路图。

图4B是被应用于图1中示出的存储设备的另一存储单元的放大透视图及其等效电路图。

图5A是图1中示出的存储设备的制造方法中的一个步骤的透视图。

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