[发明专利]涂层电气组件

权利要求书

1.一种电气组件，所述电气组件在其至少一个表面上具有多层保形涂层，其中，所述多层涂层的每层可通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物包括：(a)一种或多种有机硅化合物；(b)可选地，O₂、N₂O、NO₂、H₂、NH₃、N₂、SiF₄和/或六氟丙烯(HFP)；和(c)可选地，He、Ar和/或Kr。

2.根据权利要求1所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层具有二到十个层，优选四到八个层。

3.根据权利要求1或2所述的电气组件，其中，所述等离子体沉积是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述等离子体沉积在0.001至10mbar的压力下发生。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的第一层/最下层是有机的，其与所述电气组件的表面接触。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的第一层/最下层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物不包括或基本上不包括O₂、N₂O或NO₂。

7.根据权利要求6所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的第一层/最下层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物不包括或基本上不包括O₂、N₂O、NO₂、含氟有机硅化合物、SiF₄或HFP。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的最终层/最上层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物不包括或基本上不包括O₂、N₂O或NO₂。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的最终层/最上层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物包括一种或多种含卤素的有机硅化合物、SiF₄和/或HFP。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的最终层/最上层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物包括He、Ar和/或Kr。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的至少一层是通过前体混合物的等离子体沉积而获得的防潮层，所述前体混合物包括O₂、N₂O和/或NO₂。

12.根据前述权利要求中任一项所述的电气组件，其中，所述多层保形涂层的至少一个层是通过前体混合物的等离子体沉积而获得的防潮层，所述前体混合物包括含氮的有机化合物、N₂、NO₂、N₂O和/或NH₃。

13.根据权利要求11或12所述的电气组件，其中，获得到所述至少一个防潮层的所述前体混合物进一步包括He、Ar和/或Kr。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的电气组件，其中，所述至少一个防潮层位于所述多层涂层的第一层/最下层和最终层/最上层之间。