[发明专利]半导体元件的制造方法及制造装置

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，将蒸发压力封闭薄片粘贴于形成有多个元件的半导体基板，在所述元件间的预定分离线上的一部分形成初始裂纹；以及

第2工序，将激光照射到所述半导体基板的所述预定分离线上而使所述初始裂纹延伸，分离为各个所述元件，

在所述第2工序中，使激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着所述预定分离线的方向，使激光聚光到所述半导体基板与所述蒸发压力封闭薄片的界面的所述预定分离线上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在所述半导体基板与所述蒸发压力封闭薄片之间来作为针对所述半导体基板的弯曲力来发挥作用。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使所述初始裂纹形成于所述半导体基板的所述预定分离线上的一端部，在所述第2工序中，使激光的聚光点在所述预定分离线上移动而照射多个点，使所述初始裂纹依次延伸至所述半导体基板的另一端部。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在所述第2工序中，激光的聚光光点形状的椭圆的半长轴a满足下述式1，

数学式1

k：半导体基板的导热率，其单位是W/m·K，

c：半导体基板的比热容量，其单位是J/kg·K，

ρ：半导体基板的密度，其单位是kg/m³，

t_p：激光的脉冲宽度，其单位是s。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着所述预定分离线的方向，且使得该椭圆的半长轴a满足上述式1，使激光聚光到所述界面的所述预定分离线上而进行照射，从而形成所述初始裂纹。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

激光以脉冲激光器作为光源。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

使激光的聚光光点形状的椭圆的长轴与所述半导体基板的劈开方向一致。

7.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述蒸发压力封闭薄片粘贴于所述半导体基板的与形成有所述元件的面相反一侧的面。

8.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

隔着所述蒸发压力封闭薄片将增强件粘贴于所述半导体基板。

9.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述蒸发压力封闭薄片透射激光，将激光从所述蒸发压力封闭薄片侧照射到所述界面。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

将激光的波长设为被所述半导体基板吸收的波长。

11.根据权利要求1或者2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板透射激光，将激光从所述半导体基板侧照射到所述界面。

12.一种半导体元件的制造装置，其特征在于，具备：

光束成形单元，使从光源射出的激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着半导体基板的预定分离线的方向；

光束照射单元，使从所述光源射出的激光聚光到粘贴于所述半导体基板的蒸发压力封闭薄片与所述半导体基板的界面的预定分离线上并从所述蒸发压力封闭薄片侧照射；以及

支承件，将所述蒸发压力封闭薄片或者粘贴于所述蒸发压力封闭薄片的增强件支承在移动载置台上，

所述半导体基板隔着所述支承件设置于所述移动载置台上。