[发明专利]半导体元件的制造方法及制造装置

说明书

本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与作为蒸发压力封闭薄片的固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在半导体基板(10)与固定用薄片(14)之间来作为针对半导体基板(10)的弯曲力发挥作用，使初始裂纹(13a)延伸。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。

技术领域

本发明涉及半导体元件的制造方法及制造装置，特别涉及将半导体基板分离为各个半导体元件的方法以及装置。

背景技术

以往，作为将半导体基板分离为各个半导体元件的方法，实施了通过划线形成作为起点的槽并以向使槽扩展的方向施加应力的方式进行3点弯曲的方法。但是，在这样的机械加工方法中，存在在分离的间隔短的情况下3点弯曲的应力无法有效地作用而经常发生分离不良这样的问题。因此，作为代替机械加工方法的分离方法，期待利用激光器照射进行的分离方法。

作为利用激光器照射进行的分离方法的在先例子，在专利文献1中公开了通过将超短脉冲激光照射到半导体基板的预定分离线上并使基板的材料蒸发而分离的方法。另外，在专利文献2中公开了如下方法：通过将激光照射到半导体基板的内部，沿着预定分离线使聚光点移动，从而在基板内部形成裂纹区域(或者熔融处理区域)，接着通过对基板施加外力而使基板分离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-324768号公报

专利文献2：日本特开2006-165593号公报

发明内容

要求在利用激光器照射将半导体基板分离为各个半导体元件时，除了抑制向元件区域的热损伤之外，还抑制由于蒸发后的材料再次附着而导致的污染(将其称为碎屑)所致的元件特性的劣化，并在元件区域得到平坦性良好的分离面。特别在形成激光二极管的谐振器反射镜时，需要平坦性良好的分离面。

然而，在专利文献1的分离方法中，通过照射超短脉冲激光而使预定分离线上的半导体基板材料蒸发，所以存在由于对半导体基板的元件区域的热损伤和碎屑而元件特性劣化这样的问题。另外，在专利文献2的分离方法中，裂纹从大量形成于基板内部的裂纹区域的每一个独立地延伸，所以存在分离面的平坦性差这样的问题。

本发明是为了解决如上所述的课题而完成的，其目的在于提供能够降低对半导体基板的元件区域的热损伤和碎屑并能够得到平坦性良好的分离面的半导体元件的制造方法及制造装置。

本发明的半导体元件的制造方法，包括：第1工序，将蒸发压力封闭薄片粘贴于形成有多个元件的半导体基板，在元件间的预定分离线上的一部分形成初始裂纹；以及第2工序，将激光照射到半导体基板的预定分离线上而使初始裂纹延伸，分离为各个元件，在第2工序中，使激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着所述预定分离线的方向，使激光聚光到半导体基板与蒸发压力封闭薄片的界面的预定分离线上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在半导体基板与蒸发压力封闭薄片之间来作为针对半导体基板的弯曲力发挥作用。

学式另外，本发明的半导体元件的制造装置，具备：光束成形单元，使从光源射出的激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着半导体基板的预定分离线的方向；光束照射单元，使从光源射出的激光聚光到粘贴于半导体基板的蒸发压力封闭薄片与半导体基板的界面的预定分离线上并从蒸发压力封闭侧照射；以及支承件，将蒸发压力封闭薄片或者粘贴于蒸发压力封闭薄片的增强件支承在移动载置台上，半导体基板隔着支承件设置于移动载置台上。