[发明专利]晶锭切割装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶锭切片装置。

背景技术

通过以下步骤来制造用于制造诸如半导体或太阳能电池之类的电子部件的材料的硅晶片：将单个的硅晶锭切片成晶片形式的薄切片的步骤；研磨以提高平面度，同时将晶片抛光至期望的厚度的步骤；蚀刻以去除晶片内的损伤层的步骤；抛光以提高表面镜像和平面度的步骤；以及清洁以去除晶片表面上的污染物的步骤等。

在上述切片中，通过使用线材和浆料而将晶锭切片成薄晶片形式。

近来，晶片的大尺寸已经变得很有必要，且基于这种趋势，使用了用于将晶锭切片的晶锭切片装置。

晶锭切片装置是用于利用被设置成高速往复运动的线材来将晶锭切片的装置。

晶片通过如下方式生产：将研磨剂和浆料施加到能高速往复运动的线材的上表面，并利用附着在线材上的研磨剂与晶锭之间的摩擦力将晶锭切片。

参照图1，对现有的晶锭切片装置进行描述。

现有的晶锭切片装置可以包括：晶锭供给装置20，该晶锭供给装置20用于收纳和供给晶锭I；晶锭切片装置10，该晶锭切片装置10被设置成对由晶锭供给装置20供给的晶锭I进行切片；以及浆料供给单元30，该浆料供给单元30被设置成将浆料供给到晶锭切片装置10。

晶锭供给装置20可以包括：晶锭存储单元21，该晶锭存储单元21被设置成收纳晶锭I或移动到晶锭切片装置10；角撑板23，该角撑板23被设置为对晶锭I进行限制；以及工作板22，该工作板22被设置成对角撑板23进行支承。

晶锭切片装置10可以包括：辊子11，该辊子11被设置成能旋转；以及线材12，该线材12被设置成卷绕到辊子11以往复运动。

上述晶锭供给装置20被设置成能竖直地移动，从而可以通过将晶锭I移向线材12而对晶锭I进行切片。

如图所示，浆料供给单元30被设置成将浆料供给到线材。

现有的晶锭切片装置所具有的问题是，涂覆于晶锭I的浆料飞散并流入晶锭I的切片表面。

其结果是，浆料流入切片后的晶锭I内部，并发生晶锭I在垂直于线材12移动方向的方向上振动的波纹运动，因此产生因振动导致的噪音和晶片的切片质量劣化。

此外，由于当对晶锭I进行切片时，线材12在前后方向上往复运动，因此，相对于晶片的中心，相对的侧表面的厚度比中心的厚度薄，因此，由上述厚度不同而产生的空间引起线材12的振动和偏转，从而导致晶片的质量劣化。

另外，当对晶锭I进行切片时，施加到线材12表面的浆料的量比所需的量大，因此，目标晶片的厚度变薄。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种晶锭切片装置，其可以对供给到线材的浆料的量进行控制，并防止晶片的厚度比所需厚度薄。

此外，本发明的目的在于提供一种晶锭切片装置，其被设置成可以根据晶锭被切片的位置，对供给到浆料的空气的量进行不同控制。

另外，本发明的目的在于提供一种晶锭切片装置，其被设置成可以根据晶锭被切片的位置，对供给到浆料的空气的温度进行不同控制。

另外，本发明的目的在于提供一种晶锭切片装置，其被设置成可以改变供给到浆料的空气与用于对晶锭进行切片的线材之间的角度。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述问题，根据本发明的晶锭切片装置包括：晶锭供给装置，该晶锭供给装置被设置成供给晶锭并能在第一方向上移动；切片装置，该切片装置被设置成能在与第一方向交叉的第二方向上移动，并对晶锭进行切片；浆料供给单元，该浆料供给单元被设置成将浆料供给到切片装置；以及空气供给单元，该空气供给单元用于将空气供给到切片装置。

此外，空气供给单元设置在浆料供给单元与晶锭之间。

另外，设置有至少一个或多个空气供给单元。

另外，空气供给单元包括：空气流入软管，空气流入软管用于提供流路，该流路用于将空气从外部引导至空气供给单元的内部；以及空气排出端口，该空气排出端口用于将被引入到空气供给单元的空气沿预定的方向排出。

此外，从空气排出端口排出的空气与切片装置之间的角度为90°或以下。

另外，至少一个或多个空气供给单元被成沿着空气排出端口延伸。

另外，根据本发明的晶锭切片装置还包括空气供给单元控制单元，该空气供给单元控制单元用于控制空气供给单元，其中，空气供给单元控制单元被设置成根据晶锭供给装置的位置来改变每小时从空气供给单元排出的空气供给量。