[发明专利]阻变存储器

权利要求书

1.一种阻变存储器，包括：

半导体衬底；

晶体管，所述晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子，所述晶体管被设置在所述半导体衬底上；

覆盖所述晶体管的绝缘层；

连接到所述第一端子并设置在所述绝缘层上的第一导线；

设置在所述绝缘层上的第二导线；和

连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件，

其中，所述第一导线与所述阻变元件不接触，并且其中在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。

2.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

连接到所述第二导线的感测放大器。

3.根据权利要求2所述的存储器，还包括：

驱动器，所述驱动器通过使用所述感测放大器在读取操作中将所述第一导线连接到接地端子。

4.根据权利要求3所述的存储器，还包括：

在所述第一导线上方的第三导线；和

具有第一端和第二端的开关元件，所述第一端被连接到所述第一导线，

其中所述驱动器被连接在所述开关元件的所述第二端与所述第三导线之间。

5.根据权利要求3所述的存储器，还包括：

在所述第二导线上方的第四导线；和

连接在所述第二导线和所述第四导线之间的开关元件。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，

所述控制端子被设置在半导体衬底中。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中，

所述阻变元件包括具有不变磁化的第一磁性层、具有可变磁化的第二磁性层以及设置在它们之间的非磁性层。

8.一种阻变存储器，包括：

半导体衬底；

晶体管，所述晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子，所述晶体管被设置在所述半导体衬底上；

覆盖所述晶体管的绝缘层；

连接到所述第一端子并设置在所述绝缘层上的第一导线；

设置在所述绝缘层上的第二导线；和

连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件，

其中所述第一导线与所述阻变元件不接触，并且其中所述第一导线具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有比所述第一厚度大的第二厚度。

9.根据权利要求8所述的存储器，还包括：

连接到所述第二导线的感测放大器。

10.根据权利要求9所述的存储器，还包括：

驱动器，所述驱动器通过使用感测放大器在读取操作中将地电位施加到所述第一导线。

11.根据权利要求10所述的存储器，其中，

所述第二部分比所述第一部分更靠近所述驱动器。

12.根据权利要求11所述的存储器，还包括：

在所述第一导线上方的第三导线；和

具有第一端和第二端的开关元件，所述第一端被连接到所述第一导线，

其中所述驱动器被连接在所述开关元件的所述第二端与所述第三导线之间。

13.根据权利要求11所述的存储器，还包括：

在所述第二导线上方的第四导线；和

连接在所述第二导线和所述第四导线之间的开关元件。

14.根据权利要求8所述的存储器，其中

所述控制端子被设置在所述半导体衬底中。

15.根据权利要求8所述的存储器，其中，

所述阻变元件包括具有不变磁化的第一磁性层、具有可变磁化的第二磁性层以及设置在它们之间的非磁性层。