[发明专利]用于半导体设备的匹配腔室性能的方法有效
申请号: | 201680033926.8 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN108140588B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 路雪松;张林;安德鲁·V·勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体设备 匹配 性能 方法 | ||
1.一种用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法,所述方法包含以下步骤:
在处理腔室中执行第一预定处理;
在执行所述预定处理的同时收集第一组信号,所述第一组信号由第一组设置于所述处理腔室中的传感器传输至控制器;
分析所收集的所述第一组信号;
将所收集的所述第一组信号与储存于所述控制器中的数据库比较,以检查来自所述第一组传感器的传感器响应;
当发现失配传感器响应时,基于所收集的所述第一组信号来校准传感器;
随后在所述处理腔室中执行第一系列处理;及
在执行所述系列处理的同时收集第二组信号,所述第二组信号由所述传感器传送至所述控制器。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:
在所述腔室中所分别传送的一组基板上执行第二系列处理;及
在所述组的每个基板上以不同的膜性质形成膜层。
3.如权利要求2所述的方法,进一步包含以下步骤:
测量设置在每个基板中的每个膜层的膜性质;
将所述膜性质与储存于所述控制器中的所述数据库比较以检查来自所述第一组传感器的传感器响应;及
当发现失配传感器响应时,基于所测量的所述膜性质来校准所述处理腔室中的所述第一组传感器。
4.如权利要求2所述的方法,进一步包含以下步骤:
测量设置于每个基板中的每个膜层的膜性质;及
当发现失配传感器响应时,基于所测量的所述膜性质来校准在所述第一预定处理中设定的处理参数。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一预定处理是设定用于所述处理腔室的BKM处理。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述第一系列处理包含5个处理,所述5个处理包含设定在第一预定处理中的处理参数、高于及低于设定在所述第一预定处理中的所述处理参数20%的处理参数、及高于及低于设定在所述第一预定处理中的所述处理参数10%的处理参数。
7.如权利要求2所述的方法,其中所述第二系列处理包含5个处理,所述5个处理包含设定在所述第一预定处理中的处理参数、高于及低于设定在所述第一预定处理中的所述处理参数20%的处理参数、及高于及低于设定在所述第一预定处理中的所述处理参数10%的处理参数。
8.如权利要求3所述的方法,其中从在所述基板上形成的所述膜层所测量的所述膜性质包含膜厚度、膜均匀度、折射率、有效系数、膜应力、湿法蚀刻速率(WER)或干法蚀刻速率、平版印刷术重叠、电导率、电阻率及密度中的至少一个。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述第一预定处理包含单一层制作方法或多层制作方法。
10.如权利要求3所述的方法,进一步包含以下步骤:
在所述处理腔室中实施第二组腔室传感器。
11.如权利要求10所述的方法,进一步包含以下步骤:
在所述处理腔室中执行所述第一预定处理;
收集第三组信号,所述第三组信号由所述第二组传感器传输。
12.如权利要求11所述的方法,进一步包含以下步骤:
通过所述控制器分析所述第三组信号,以检查来自所述第二组传感器的传感器响应;
将所述传感器响应与储存于所述控制器中的所述数据库做比较;及
当发现失配时,校准所述处理腔室中的所述第二组传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造