[发明专利]NAND存储器的浅沟槽隔离沟槽及方法

权利要求书

1.一种形成NAND存储器的方法，所述方法包括：

在衬底中形成存储器单元区域；

在所述衬底中形成与所述存储器单元区域相邻的外围区域；并且

通过以下步骤，在所述外围区域中的所述衬底中形成浅沟槽隔离沟槽：

形成所述浅沟槽隔离沟槽的第一顶表面；

形成所述浅沟槽隔离沟槽的第二顶表面；以及

蚀刻所述第二顶表面以形成所述浅沟槽隔离沟槽的第三顶表面，所述第三顶表面与所述第一顶表面共面。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述外围区域包括外围晶体管区域和外围电容器区域；并且

形成所述浅沟槽隔离沟槽包括形成与所述外围晶体管区域相邻的所述第一顶表面和形成与所述外围电容器区域相邻的所述第二顶表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

所述外围区域包括外围晶体管区域和外围电容器区域；并且

形成所述浅沟槽隔离沟槽包括在所述外围晶体管区域和所述外围电容器区域之间形成所述浅沟槽隔离沟槽。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中形成所述浅沟槽隔离沟槽包括形成所述第三顶表面的高度，所述三顶表面的高度与所述第一顶表面的高度相等。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述浅沟槽隔离沟槽包括电介质材料。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述电介质材料包括以下中的一个或多个：二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及其他低K电介质。