[发明专利]发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法在审
申请号: | 201680035150.3 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN107750393A | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 法尔杭·卡西米·阿夫沙尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,李慧 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管装置(10),具有
基板(12),
第一LED(20),所述第一LED布置在所述基板(12)上,
第二LED(22),所述第二LED在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)旁边,
至少一个覆盖体(24),所述覆盖体覆盖所述第一LED(20),
至少一个围挡(26),所述围挡布置在所述基板(12)上并且在侧向方向上包围所述第一LED(20)和所述第二LED(22),和
第一灌封材料(28),所述第一灌封材料覆盖所述第二LED(22),并且所述第一灌封材料在侧向方向上由所述围挡(26)和所述覆盖体(24)限界,其中所述覆盖体(24)和/或所述第一灌封材料(28)具有用于转换电磁辐射的第一转换材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置(10),其中,所述覆盖体(24)构造为射束成形元件,尤其构造为光学透镜,所述射束成形元件用于影响由所述第一LED(20)发射的电磁辐射的辐射路径。
3.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,所述覆盖体(24)构造为透明的,并且所述第一灌封材料(28)具有所述第一转换材料。
4.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,所述第一LED(20)发射红色可见光波长范围中的电磁辐射,并且其中所述第二LED(22)发射蓝色可见光波长范围中的电磁辐射。
5.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,所述第一LED(20)是表面发射的发光二极管,并且其中所述第二LED(22)是体积发射的发光二极管。
6.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,所述基板(12)具有
陶瓷体(32),所述陶瓷体具有高反射性的表面,在所述高反射性的表面上布置有所述第一LED(20)和所述第二LED(22),和
电线,所述电线构造在所述陶瓷体(32)上,并且所述电线与所述第一LED(20)和所述第二LED(22)电耦合。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,所述基板(12)具有
金属芯电路板(14),在所述金属芯电路板上布置有所述第一LED(20),和
金属模板(16),所述金属模板布置在所述金属芯电路板(14)上,所述金属模板的背离所述金属芯电路板(14)的表面是高反射性的,在该表面上布置有所述第二LED(22)并且该表面具有凹部(30),所述第一LED(20)布置在所述凹部中并且所述覆盖体(24)穿过所述凹部伸出。
8.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),所述发光二极管装置具有第三LED,所述第三LED在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)和所述第二LED(22)旁边。
9.根据权利要求8所述的发光二极管装置(10),其中,所述第三LED构造成与所述第一LED(20)或所述第二LED(22)结构相同。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的发光二极管装置(10),其中,第二灌封材料覆盖所述第三LED,所述第二灌封材料具有用于转换电磁辐射的第二转换材料。
11.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10),具有至少一个中间围挡,所述中间围挡在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)、所述第二LED(22)和/或所述第三LED之间,并且所述中间围挡在侧向方向上对所述第一灌封材料(28)和/或所述第二灌封材料进行限界。
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