[发明专利]发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法在审

专利信息
申请号: 201680035150.3 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN107750393A 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 法尔杭·卡西米·阿夫沙尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,李慧
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置 用于 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法。

背景技术

在常规的发光二极管装置中,多个LED布置在基板上并且与构造在基板上的电线电连接。LED能够电并联和/或电串联。例如,一组LED中的LED能够电串联,另一组LED中的LED能够电串联并且这两组能够电并联。LED能够构造成结构相同或不同的。例如,一组LED能够具有表面发射的发光二极管,表面发射的发光二极管典型地具有在其上侧的电触点和在其下侧的电触点,并且另一组LED能够具有体积发射的发光二极管,体积发射的发光二极管典型地具有在其上侧上的两个电触点。此外,一组LED能够具有发射蓝光的发光二极管并且另一组LED能够具有发射红光的发光二极管。LED例如能够构造在基板上,基板具有陶瓷主体,在陶瓷主体上构造用于电接触LED的电线。

发明内容

本发明的一个目的是:提供一种发光二极管装置,发光二极管装置能够简单地和/或成本低廉地制造,发光二极管装置是特别高效的,其具有特别长的使用寿命和/或是特别紧凑的。

本发明的一个目的是:提供一种用于制造发光二极管装置的方法,方法能够简单地和/或成本低廉地执行,和/或方法有助于:使发光二极管装置特别高效、具有特别长的使用寿命和/或是特别紧凑的。

该目的根据本发明的一个方面通过一种发光二极管装置实现,发光二极管装置具有:基板;第一LED,其布置在基板上;第二LED,其在基板上侧向地布置在第一LED旁边;至少一个覆盖体,其覆盖第一LED;至少一个围挡,其布置在基板上并且在侧向方向上包围第一LED和第二LED;和第一灌封材料,第一灌封材料覆盖第二LED并且在侧向方向上由围挡和覆盖体限界,其中覆盖体和/或第一灌封材料具有用于转换电磁辐射的第一转换材料。

布置在第一LED上方、尤其布置在第一LED上的覆盖体防止第一LED受到外部力作用,例如防止碰撞和/或刮蹭,并且在制造发光二极管装置时能够用于:防止第一灌封材料高于第一LED流动。因此,覆盖体和围挡形成了腔室的侧向限界部,在制造发光二极管装置时第一灌封材料填充到腔室中并且在腔室中后续地布置有第一灌封材料。因此,覆盖体具有双重功能,其一方面保护第一LED并且另一方面用作为用于第一灌封材料的侧向限界部。能够布置有一个、两个、三个或更多个覆盖体,覆盖体分别覆盖和保护多个第一LED。一个或多个覆盖体例如能够具有塑料和/或硅树脂或由这些形成。发光二极管装置能够在色彩方面进行调整和/或是CCT可调谐的。

电磁辐射由第一LED和/或第二LED发射。电磁辐射的至少一部分借助于转换材料被转换。特别地,转换材料吸收电磁辐射的具有特定波长的部分或者位于特定的波长范围中的部分,并且发射具有不同波长的或处于另一波长范围中的电磁辐射。电磁辐射例如能够是可见波长范围中的光。例如,电磁辐射能够是红光、绿光或蓝光。转换的电磁辐射例如能够是红光或白光。

分别从基板的表面起测量的覆盖体的竖直高度和/或围挡的竖直高度能够大于由第一灌封材料形成的层的厚度。第一LED例如能够沿着一条线布置。此外,这种由第一LED形成的两条或更多条线能够彼此平行地或沿着交叉线布置。一条这种线中的第一LED例如能够电串联。第二LED例如能够沿着一条线布置。此外,这种由第二LED形成的两条或更多条线能够彼此平行地或沿着交叉线布置。一条这种线中的第二LED例如能够电串联。LED线能够电并联或电串联。

在一个改进方案中,覆盖体构造为射束成形元件、尤其构造为光学透镜,其用于影响由第一LED发射的电磁辐射的辐射路径。换而言之,覆盖体不仅用作为对于第一LED的保护装置和作为用于对第一灌封材料的限界部,而且也用于对由第一LED发射的电磁辐射的一个或多个辐射路径进行射束成形。附加地,借助于作为射束成形元件的覆盖体能够提高发光二极管装置、尤其第一LED的效率,因为由第一LED产生的电磁辐射的、作为有效光离开发光二极管装置的份额能够相对于没有相应的射束成形元件的发光二极管装置被提高。特别地,射束成形元件能够用于:降低由第一LED产生的电磁辐射的内部全反射,使得电磁辐射的很大份额能够离开发光二极管装置。这在第一LED发射红光的情况下是特别有利的,因为在红光的情况下全反射的临界角是特别小的。

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