[发明专利]气柜有效
申请号: | 201680035844.7 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN107771353B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | J·R·德普雷斯;B·L·钱伯斯;J·D·斯威尼;R·S·雷;S·E·毕夏普 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67;F17C11/00;F17C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 顾晨昕 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气柜 | ||
1.一种气体供应系统,其包括:
至少一个气体供应罐,其易于在涉及从所述罐施配的气体的压力减小的施配操作中冷却;
监测系统,其经配置以检测压力减小到指示所述罐的排空的压力且终止所述罐的施配操作;及
增温系统,其经配置以在所述罐的施配操作终止之后将所述罐增温,使得所述罐被增温到使得所述罐中的剩余气体的压力被增加到高于指示所述罐的排空的所述压力的程度,以借此使得能够重新开始所述罐的施配操作;
其中所述气体供应罐容纳作为用于将在施配操作中由所述罐供应的气体的存储介质的吸附剂,所述施配操作包括气体从所述吸附剂解吸附;且
其中增温温度为增温到从35℃到50℃的范围内的温度。
2.根据权利要求1所述的气体供应系统,其包括众多所述气体供应罐,所述众多所述气体供应罐经操作地布置使得在所述监测系统终止第一罐的施配操作时,第二罐起始施配操作以确保气体供应的连续性。
3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的气体供应系统,其中所述至少一个气体供应罐安置于气柜中。
4.根据权利要求3所述的气体供应系统,其包括所述气柜中的多个气体供应罐,所述多个气体供应罐与用于混合从所述多个气体供应罐中的两者或更多者施配的气体的混合歧管操作地布置。
5.一种从至少一个气体供应罐供应气体的方法,所述气体供应罐易于在涉及从所述罐施配的气体的压力减小的施配操作中冷却,所述方法包括:
监测从所述罐施配的气体的压力;
在检测到压力减小到指示所述罐的排空的压力之后,终止所述罐的施配操作;及
在终止所述罐的施配操作之后将所述罐增温,使得所述罐被增温到使得所述罐中的剩余气体的压力被增加到高于指示所述罐的排空的所述压力的程度,以借此使得能够重新开始所述罐的施配操作;
其中所述气体供应罐容纳作为用于将在施配操作中由所述罐供应的气体的存储介质的吸附剂,所述施配操作包括气体从所述吸附剂解吸附;且
其中增温温度为增温到从35℃到50℃的范围内的温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩特格里斯公司,未经恩特格里斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680035844.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造