[发明专利]用于防止光泄漏的拍摄设备及其图像传感器有效
申请号: | 201680035946.9 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN107787523B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 文载畯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/353;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/3745;H04N9/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 于翔;曾世骁 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 防止 泄漏 拍摄 设备 及其 图像传感器 | ||
1.一种拍摄设备,包括:
图像传感器,被配置为包括多个像素,所述多个像素中的每个像素包括光电二极管和存储二极管,存储二极管被配置为临时存储在光电二极管中累积的电荷;以及
图像处理器,被配置为接收在所述多个像素中的每个像素的存储二极管中存储的电荷,
其中,所述多个像素中的第一像素包括第一存储二极管和第一光电二极管,所述多个像素中的与第一像素相邻的第二像素包括第二存储二极管和第二光电二极管,
其中,第一光电二极管、第一存储二极管、第二存储二极管和第二光电二极管被顺序布置。
2.如权利要求1所述的设备,其中,所述多个像素中的奇数列中的每个像素的存储二极管和偶数列中的每个像素的存储二极管被布置为彼此相邻。
3.如权利要求1所述的设备,其中,遮光帘被布置在所述多个像素的存储二极管被布置为彼此相邻的区域或图像传感器中。
4.如权利要求1所述的设备,其中,图像传感器还包括微透镜,所述微透镜被布置在所述多个像素中的每个像素的光电二极管的区域上方,并且被布置在所述多个像素的存储二极管被布置为彼此相邻的区域上方。
5.如权利要求1所述的设备,其中,图像传感器还包括微透镜,所述微透镜被布置在所述多个像素中的每个像素的光电二极管被布置的区域上方。
6.如权利要求1所述的设备,其中,图像传感器还包括被布置在所述多个像素中的每个像素上方的微透镜。
7.如权利要求6所述的设备,其中,所述多个像素中的第一像素的存储二极管和第二像素的存储二极管彼此相邻,并且遮光帘被形成在第一像素的存储二极管和第二像素的存储二极管相邻的区域中,
其中,图像传感器被配置为基于分别在具有彼此相邻的存储二极管的第一像素和第二像素的光电二极管中累积的电荷的量来执行相位差自动聚焦操作。
8.如权利要求1所述的设备,其中,图像传感器包括微透镜被布置在所述多个像素中的至少两个像素的光电二极管彼此相邻的区域上方的多光电二极管结构。
9.如权利要求1所述的设备,其中,图像传感器包括微透镜被布置在所述多个像素中的至少四个像素的光电二极管彼此相邻的区域上方的多光电二极管结构。
10.如权利要求1所述的设备,还包括:
控制器,被配置为控制图像传感器读出在所述多个像素中的每个像素中存储的电荷,
其中,所述多个像素中的每个像素还包括:
浮置扩散,被配置为基于控制器的控制命令读出存储在存储二极管中的电荷;
第一开关,被配置为执行切换操作以将在光电二极管中累积的电荷临时存储到存储二极管中;以及
第二开关,被配置为执行切换操作以通过浮置扩散读出临时存储在存储二极管中的电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的