[发明专利]用于防止光泄漏的拍摄设备及其图像传感器

说明书

提供了一种用于防止或减少光泄漏的拍摄设备及其图像传感器。所述拍摄设备包括：图像传感器，被配置为包括分别具有光电二极管和用于临时存储在光电二极管中累积的电荷的存储二极管的多个像素；图像处理器，被配置为通过接收存储在所述多个像素中的每一个的存储二极管中的电荷来执行图像处理操作。另外，图像传感器具有所述多个像素的存储二极管被排列为彼此相邻的结构。因此，所述拍摄设备可防止从相邻像素的光泄漏流入到每个像素的存储二极管中。

技术领域

本公开总体涉及一种用于防止和/或减少光泄漏的拍摄设备及其图像传感器，并且，例如，涉及一种用于防止和/或减少在全局快门中发生的光泄漏的拍摄设备及其图像传感器。

背景技术

通常，通过将容许进入到拍摄设备的镜头中的入射光进行电转换来产生图像的图像传感器可被大致分为电荷耦合器件(CCD)类型图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型图像传感器。

两种图像传感器通过用于基于曝光的开始/终止来控制光量的快门的操作来维持适当的曝光。用于控制光量的快门根据操作模式被分类为卷帘快门和全局快门。

卷帘快门类型表示由于图像传感器不包括用于存储每个像素的光电二极管的电荷的存储器从而针对各个像素顺序地开始/终止曝光的方法。全局快门类型表示在图像传感器的全部像素中同时开始曝光，并且在适当的曝光时间过去之后，通过使用每个像素的存储器在全部像素中同时终止曝光的方法。

然而，在CMOS-类型全局快门的图像传感器中，当全局快门操作时光泄漏发生。光泄漏表示在存储在全部像素中的电荷同时按照批或块被存储在每个像素的存储二极管中，并且存储在每个像素的存储二极管中的电荷被读出的同时，光向与高亮度对象区域有关的相邻像素泄漏的状态。特别地，在最后执行读出操作的像素的情况下，光泄漏与执行读出操作的时间成比例地在像素的存储二极管中更严重的发生。

此外，由由于容许进入到每个像素的光电二极管中的入射光的衍射和漫反射而产生的光泄漏引起的泄漏电荷可流入CMOS-类型全局快门的图像传感器的每个像素的存储二极管，并且由由于容许进入到相邻像素的光电二极管中的入射光的衍射和漫反射而产生的光泄漏引起的泄漏电荷可另外流入CMOS-类型全局快门的图像传感器的每个像素的存储二极管中。

发明内容

技术问题

本发明解决了现有技术中出现的上述和其他问题和缺点，并且本公开的一方面提供一种用于防止和/或减少光通过相邻像素流入图像传感器的各个像素的存储二极管的光泄漏的全局快门类型拍摄设备及其图像传感器。

技术方案

根据示例，提供了一种拍摄设备，包括：图像传感器，被配置为包括多个像素，多个像素中的每个像素分别具有光电二极管和存储二极管，所述存储二极管临时存储在光电二极管中累积的电荷；图像处理器，被配置为通过接收存储在多个像素中的每个像素的存储二极管中的电荷来执行图像处理操作。另外，图像传感器具有多个像素的存储二极管被排列为彼此相邻的结构。

图像传感器可具有多个像素中的奇数列中的每个像素的存储二极管和偶数列中的每个像素的存储二极管被排列为彼此相邻的结构。

图像传感器可具有遮光帘被形成在多个像素的存储二极管被排列为彼此相邻的区域中的结构。

图像传感器可具有微透镜被排列在多个像素中的每个像素的光电二极管被排列的区域以及多个像素的存储二极管被排列为彼此相邻的区域中的结构。

图像传感器可具有微透镜被排列在多个像素中的每个像素的光电二极管被排列的区域中的结构。

图像传感器可具有微透镜被排列在多个像素中的每个像素中的结构。