[发明专利]针对电流驱动光学介质的控制组件

权利要求书

1.一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：

衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：

所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C₁)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；

所述导电层中的第三导电层被布置成与所述像素电极或半导体沟道相比更强烈地电容性耦合到所述源电极或所述栅电极，

其中，通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C₂)的第一板，并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C₂)的第二板，所述第二电容器(C₂)向所述栅电极提供附加存储电容。

2.根据权利要求1所述的控制组件，其中所述TFT是顶栅极配置TFT，其中所述源/漏电极在所述导电层中的第一导电层中，并且其中所述栅电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。

3.根据权利要求2所述的控制组件，其中通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第二导电层的上方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的上方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。

4.根据权利要求3所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述源电极。

5.根据权利要求4所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。

6.根据权利要求4或5所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于包括所述多个像素电极的区域之外。

7.根据权利要求4、5或6所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于所述TFT的结构内。

8.根据权利要求3所述的控制组件，其中，所述第二电容器的第一板连接到辅电压源。

9.根据权利要求8所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述辅电压源之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述辅电压源或将所述第一板与所述辅电压源断开连接。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的控制组件，其中，所述第三导电层包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格，并且其中所述栅格中的孔被布置成允许通孔从所述第三层下方的层穿到所述第三层上方的层。

11.根据权利要求10所述的控制组件，其中，连接总线设置在包括所述多个像素电极的区域之外，且其中所述第二电容器的所述多个第一板连接到所述连接总线。

12.根据权利要求2所述的控制组件，其中，通过所述源电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层是所述第一导电层下方的层并且被电介质层分开，其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板布置在所述源电极的下方并且连接到所述栅电极，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。

13.根据权利要求12所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述栅电极。

14.根据权利要求1所述的控制组件，其中所述TFT是底栅极配置TFT，其中所述栅电极在所述导电层中的第一导电层中，其中所述源/漏电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。