[发明专利]针对电流驱动光学介质的控制组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件，例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的多层电子结构控制组件。

背景技术

通常使用玻璃作为衬底来加工高分辨率AMOLED显示器，其中在所述衬底上沉积多个用于驱动像素电极的晶体管结构。图1和图2中示意性地示出了普通晶体管结构(不按比例)：图1示出了顶栅极配置；图2示出了底栅极配置。图1和图2中的每一个示出了用于驱动像素电极的2T1C(两个晶体管，1个电容器)结构的晶体管(尽管其它结构也是可能的)。也可以通过在金属化之前蚀刻下方的电介质层来实现连接到像素电极的最右侧的通孔，使得ML3将与ML1融合。

在图1中，第一晶体管(5)包括在第一导电层(ML1)中的源电极(2)和漏电极(3)。栅电极(4)位于第二导电层(ML2)中。ML1和ML2被一个或多个电介质或半导体层分开。通常以形成导电岛状物(可选地通过不同层上的通孔或其它装置连接)的方式来图案化导电层，从而产生具有期望功能的电子器件和电路。

第二晶体管(9)包括在第一导电层(ML1)中的源(6)电极和漏(7)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(8)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第三导电层(ML3)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML3中的像素电极(10)。

由于被一个或多个电介质层分开的第二栅电极(8)和源电极(6)的交叠造成存储电容。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。

图2示出了控制组件的备选配置，其是底栅极配置。

在图2中，第一晶体管(5)包括在第二导电层(ML2)中的源电极(2)和漏电极(3)。栅电极(4)位于第一导电层(ML1)中。ML1和ML2被一个或多个电介质或半导体层分开。

第二晶体管(9)包括在第二导电层(ML2)中的源(6)电极和漏(7)电极以及在第一导电层(ML1)中的栅(8)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML4中的像素电极(10)。图2还示出了可选的屏蔽电极(11)，其位于源(6)电极和漏(7)电极之间的间隙的上方的第三导电层(ML3)中。这是可选的，但用于防止光从显示表面进入第二晶体管(9)。

由于被一个或多个电介质层分开的第二栅电极(8)和源电极(6)的交叠造成存储电容。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。

由于非柔性无机电介质可实现的每单位面积的高电容，因此可以在非柔性衬底(比如，玻璃)上实现具有小面积占用率的高存储电容。也就是说，由于非柔性结构在制造工艺中的稳定性，可以使结构更精细且层更薄。更薄的电介质层导致每单位面积更高的电容。因此，可以更容易地实现更高的像素密度。

然而，当使用针对柔性AMOLED显示器的柔性衬底和柔性电介质时，并不容易制造每面积的高电容。柔性电介质并不总是具有高介电常数，并且并不总是可以被加工以形成薄层。这样，可以影响柔性显示器的像素密度，从而允许具有较大面积的存储电容器，以便补偿降低的可实现的每单位面积的电容。

因此，我们认识到：需要用于具有增加的存储电容的柔性显示器的多层电子结构。

发明内容

因此，本发明提供一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C₁)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；其中，通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C₂)的第一板，并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C₂)的第二板，所述第二电容器(C₂)向所述栅电极提供附加存储电容。