[发明专利]液体控温系统及膜层剥离设备在审
| 申请号： | 201680036290.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107820638A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘方 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液体 系统 剥离 设备 | ||
1.一种液体控温系统，用于膜层剥离设备，其特征在于，包括：
储存部，用于盛放液体；
腔体，所述腔体形成有腔室，所述腔室的底部连接所述储存部；
喷淋系统，所述喷淋系统包括第一喷管，所述第一喷管设置在所述腔室的底部，所述喷淋系统连接所述储存部并用于将所述液体经所述第一喷管喷淋至所述腔室的底部，所述腔室的底部用于接收所述第一喷管喷出的所述液体并将所述液体回流至所述储存部。
2.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述液体控温系统包括盖体，所述盖体设置在所述腔室内并收容所述第一喷管。
3.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述第一喷管沿所述第一喷管的长度方向开设有第一喷缝。
4.如权利要求3所述的液体控温系统，其特征在于，所述第一喷缝朝向所述腔室的底部。
5.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述第一喷管的数量为两个，所述两个第一喷管平行间隔设置。
6.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述第一喷管与所述腔室的底面之间的距离的范围为3cm-10cm。
7.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述第一喷管与所述腔室的底面之间的距离为5cm。
8.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述喷淋系统包括第一阀件及第一连接管路，所述第一连接管路连接所述第一喷管及所述储存部，所述第一阀件设置在所述第一连接管路上，并用于打开或关闭所述第一连接管路。
9.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述喷淋系统包括驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述液体由所述储存部进入所述第一喷管以进行喷淋。
10.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述液体控温系统包括排放管，所述排放管连通所述腔室并位于所述腔室的顶部。
11.如权利要求1所述的液体控温系统，其特征在于，所述喷淋系统包括第二喷管，所述第二喷管设置在所述腔室的顶部，所述第二喷管连接所述储存部。
12.如权利要求11所述的液体控温系统，其特征在于，所述喷淋系统包括第二阀件及第二连接管路，所述第二连接管路连接所述第二喷管及所述储存部，所述第二阀件设置在所述第二连接管路上，并用以打开或关闭所述第二连接管路。
13.一种膜层剥离设备，其特征在于，包括如权利要求1～12任一项所述的液体控温系统。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
