[发明专利]液体控温系统及膜层剥离设备在审
申请号: | 201680036290.2 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN107820638A | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 刘方 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 系统 剥离 设备 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造加工技术领域,尤其是涉及一种液体控温系统及膜层剥离设备。
背景技术
在相关技术中,在不生产的情况下,可通过喷淋一定温度的液体来保证光阻剥离设备的腔体及与其连接的管路系统的温度,但喷淋的液体由于易于挥发而容易造成较大的浪费,因此,如何提供一种节能的液体喷淋的控温方案成为待解决的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明需要提供一种液体控温系统及膜层剥离设备。
本发明实施方式的液体控温系统,用于膜层剥离设备,其包括储存部、腔体及喷淋系统,所述储存部用于盛放液体,所述腔体形成有腔室,所述腔室的底部连接所述储存部,所述喷淋系统包括第一喷管,所述第一喷管设置在所述腔室的底部,所述喷淋系统连接所述储存部并用于将所述液体经所述第一喷管喷淋至所述腔室的底部,所述腔室的底部用于接收所述第一喷管喷出的所述液体并将所述液体回流至所述储存部。
在本发明实施方式的液体控温系统中,由于第一喷管设置在腔室的底部,离储存部的位置较近,利于液体的回收,同时,在液体喷淋至腔室的底部后,易于直接回收至储存部,从而可减少液体的挥发,即可降低由于液体的挥发而造成的浪费,从而达到了节能的目的。
在一个实施方式中,所述液体控温系统包括盖体,所述盖体设置在所述腔室内并收容所述第一喷管。
在一个实施方式中,所述第一喷管沿所述第一喷管的长度方向开设有第一喷缝。
在一个实施方式中,所述第一喷缝朝向所述腔室的底部。
在一个实施方式中,所述第一喷管的数量为两个,所述两个第一喷管平行间隔设置。
在一个实施方式中,所述第一喷管与所述腔室的底面之间的距离的范围为3cm-10cm。
在一个实施方式中,所述第一喷管与所述腔室的底面之间的距离为5cm。
在一个实施方式中,所述喷淋系统包括第一阀件及第一连接管路,所述第一连接管路连接所述第一喷管及所述储存部,所述第一阀件设置在所述第一连接管路上,并用于打开或关闭所述第一连接管路。
在一个实施方式中,所述喷淋系统包括驱动装置,所述驱动装置用于驱动所述液体由所述储存部进入所述第一喷管以进行喷淋。
在一个实施方式中,所述液体控温系统包括排放管,所述排放管连通所述腔室并位于所述腔室的顶部。
在一个实施方式中,所述喷淋系统包括第二喷管,所述第二喷管设置在所述腔室的顶部,所述第二喷管连接所述储存部。
在一个实施方式中,所述喷淋系统包括第二阀件及第二连接管路,所述第二连接管路连接所述第二喷管及所述储存部,所述第二阀件设置在所述第二连接管路上,并用以打开或关闭所述第二连接管路。
本发明实施方式的膜层剥离设备包括上述任一实施方式所述的液体控温系统。
在本发明实施方式的膜层剥离设备中,由于第一喷管设置在腔室的底部,离储存部的位置较近,利于液体的回收,同时,在液体喷淋至腔室的底部后,易于直接回收至储存部,从而可减少液体的挥发,即可降低由于液体的挥发而造成的浪费,从而达到了节能的目的。
本发明实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明实施方式的液体控温系统的结构示意图。
图2是本发明实施方式的液体控温系统的部分模块示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造