[发明专利]阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201680036538.5 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107836039A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 洪日 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和金属层；
在所述金属层上涂覆光刻胶；
提供一多灰阶掩膜版，利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化，以在所述光刻胶上形成半曝光区域；
以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案；
去除所述半曝光区域处的光刻胶，以露出所述半曝光区域下方的所述金属层；
干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道；
去除所述光刻胶。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道步骤中，包括使用蚀刻气体对所述金属层之露出于所述全曝光区域的部分进行轰击，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过控制所述蚀刻气体在所述金属层的蚀刻时间，使得所述金属氧化物半导体层部分露出于所述沟道，其中，所述蚀刻时间为预设值。
4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻气体为SF6、O2、Cl2、He、Ar中一种或任意几种的混合。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案步骤中，包括在所述金属层上喷淋蚀刻液进行蚀刻，在所述金属层图案化后去除所述蚀刻液。
6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻液包括H2O2、金属螯合剂或有机酸。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述半曝光区域处的光刻胶，以露出所述半曝光区域下方的所述金属层步骤中，包括对所述光刻胶进行灰化处理，使得所述半曝光区域处的光刻胶被去除。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述灰化处理包括将氧气激发成电浆与所述光刻胶反应，从而使得所述半曝光区域处的光刻胶被去除。
9.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶步骤中包括：采用灰化工艺或湿法蚀刻工艺将所述光刻胶去除。
10.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述多灰阶掩膜版为半色调掩膜版或灰色调掩膜版。
11.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层采用IGZO材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司，未经深圳市柔宇科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680036538.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
