[发明专利]阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

目前，在阵列基板中采用金属氧化物材料作为有源层。现有技术中阵列基板的制造过程中，主要有如下问题：传统湿法蚀刻进行源漏极的构图工艺时，会使用酸刻蚀图案，而金属氧化物一般不耐酸，从而传统工艺会腐蚀部分有源层，从而影响到阵列基板的性能。若采用干法蚀刻，蚀刻气体对源漏极金属层表面造成损伤，同样影响到阵列基板的性能。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，可以避免制造过程中造成有源层的腐蚀，提升阵列基板的性能。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和源漏极金属层；

在所述形成覆盖所述栅极绝缘层、金属氧化物半导体层的金属层并且在金属层上源漏极层上涂覆光刻胶；

提供一多灰阶掩膜版，利用所述多灰阶掩膜版对所述光刻胶进行图案化，以在所述光刻胶上形成半曝光区域；

以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层源漏极层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案化；

去除所述半曝光区域处的光刻胶，以露出所述半曝光区域下方的所述金属层；

干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道；

去除所述光刻胶。

其中，所述干法蚀刻所述半曝光区域下方露出的所述金属层，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道步骤中，包括使用蚀刻气体对所述源漏极层金属层之露出于所述全曝光区域的部分进行轰击，以露出所述金属氧化物半导体层从而形成沟道。

其中，通过控制所述蚀刻气体在所述源漏极层金属层的蚀刻速率和蚀刻时间，使得所述金属氧化物半导体层部分露出于所述沟道，其中，蚀刻速率和所述蚀刻时间均为预设值。

其中，所述蚀刻气体为SF6、O2、Cl2、He、Ar中一种或任意几种的混合。

其中，所述以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层进行蚀刻，使得蚀刻后的金属层具有源漏极层图案以所述光刻胶为遮蔽层，对所述源漏极层进行蚀刻，使得源漏极层图案化步骤中，包括在所述源漏极层金属层上喷淋蚀刻液进行蚀刻，在所述源漏极层金属层图案化后去除所述蚀刻液。

其中，所述蚀刻液包括H2O2、金属螯合剂或有机酸。

其中，所述去除所述半曝光区域处的光刻胶，以露出所述半曝光区域下方的所述金属层步骤中，包括对所述光刻胶进行灰化处理，使得所述半曝光区域处的光刻胶被去除。

其中，所述灰化处理包括将氧气激发成电浆与所述光刻胶反应，从而使得所述半曝光区域处的光刻胶被去除。

其中，所述去除所述光刻胶步骤中包括：采用灰化工艺或湿法蚀刻工艺将所述光刻胶去除。

其中，所述多灰阶掩膜版为半色调掩膜版或灰色调掩膜版。

其中，所述金属氧化物半导体层采用IGZO材料。

本申请实施例具有如下优点或有益效果：

本申请的阵列基板的制造方法中，在源漏极金属层上涂覆光刻胶，通过多灰阶掩膜版在所述光刻胶上形成半曝光区域，以所述光刻胶为遮蔽层，对所述金属层进行蚀刻，使得金属层具有源漏极层图案，然后将所述光刻胶的所述半曝光区域转化为全曝光区域，对半曝光区域下方的金属层进行干法蚀刻，以露出所述金属氧化物半导体层，从而在干法蚀刻以露出所述金属氧化物半导体层过程中不会对金属层造成损伤，提高了阵列基板的生产良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。

图2-图8为图1的所示制造方法的过程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。