[发明专利]含有存储器区块电桥的三维存储器器件

权利要求书

1.单片三维存储器器件，包括含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块，其中：

每个存储器子区块包括存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕所述存储器堆叠体结构的集的部分；

所述交替层包括位于所述基板之上的绝缘层和导电层；

相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔；并且

所述交替层的子集在所述相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸穿过所述背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在所述相邻存储器子区块的对之间提供连接部分，所述背侧接触通孔结构沿着第二水平方向横向地间隔开，

其中所述单片三维存储器器件还包括：

接触区域，其位于含有所述第一存储器区块的器件区域附近；

所述接触区域的阶梯式表面的多个集，其位于所述器件区域中的所述第一存储器区块内的相应的存储器子区块附近；

阶梯式表面的第一集，其包含所述导电层的位于级的第一集处的第一子集的垂直重合侧壁的第一集；

阶梯式表面的第二集，其包含所述导电层的位于级的第二集处的第二子集的垂直重合侧壁的第二集；并且

所述级的第一集和所述级的第二集相对于彼此是错开的，其中：

所述接触区域中的阶梯式表面的第一集中的阶梯的顶部处暴露的每个导电层由相应的控制栅极接触通孔结构接触，所接触的导电层从所述接触区域中的阶梯式表面的第一集延伸到所述接触区域中的第一存储器区块中，使得所接触的导电层存在于所述第一存储器区块中的所有存储器子区块中，并且在所述第一存储器区块中的所有存储器子区块中是电连续的；

所述接触区域中的阶梯式表面的第一集中的所接触的导电层覆于所述阶梯式表面的第一集中的一个或多个下面的导电层之上；

所述下面的导电层不被所述阶梯式表面的第一集中的相应的控制栅极接触通孔结构接触；并且

所述阶梯式表面的第一集中的每个下面的导电层被阶梯式表面的不同集中的相应的控制栅极接触通孔结构接触。

2.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，其中，所述背侧接触通孔结构是一体化构造，并且包含覆于所述交替层的位于所述电桥区域中的部分之上的电桥部分。

3.如权利要求2所述的单片三维存储器器件，还包括隔离电介质结构，所述隔离电介质结构包括电介质材料并且位于所述电桥部分的下面，其中所述隔离电介质结构接触所述交替层的位于所述交替层的子集的上方的另一个子集的侧壁。

4.如权利要求3所述的单片三维存储器器件，还包括横向地围绕所述背侧接触通孔结构的绝缘间隔体；

其中所述绝缘间隔体接触所述交替层的子集的侧壁，并且所述绝缘间隔体接触所述隔离电介质结构的侧壁。

5.如权利要求2所述的单片三维存储器器件，还包括至少一个接触级电介质层，所述接触级电介质层覆于所述交替层和所述存储器堆叠体结构的集之上；

其中，所述背侧接触通孔结构的顶表面与所述至少一个接触级电介质层的最顶层表面是共面的；并且

其中，所述电桥部分的底表面位于覆于所述交替层的最顶层表面之上的水平平面内。

6.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，其中，每个存储器堆叠体结构延伸穿过所述交替层，并且从外侧到内侧包括：

至少一个阻挡电介质，

存储器材料层，

隧穿电介质，以及

接触上覆的漏极区域的垂直半导体沟道。

7.如权利要求6所述的单片三维存储器器件，还包括后退阶梯式的电介质材料部分和源极区域，所述后退阶梯式的电介质材料部分具有接触所述交替层内的多个导电层的侧壁，所述源极区域在所述背侧接触通孔结构的下面且位于所述基板中或所述基板上；

其中，半导体沟道在每个漏极区域与所述源极区域中的一个源极区域之间连续地延伸；并且

其中，背侧接触通孔结构包括源电极或者源极侧本地互连。