[发明专利]磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板和磁记录介质

权利要求书

1.一种磁记录介质基板用玻璃，其中，以摩尔％表示计，

SiO₂含量为56～75％，

Al₂O₃含量为0.1～10％，

Li₂O含量为0～2％，

Na₂O和K₂O的总含量为3～15％，

MgO、CaO和SrO的总含量为14～35％，

Ti氧化物含量为0.20～2.50％，

Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.10～1.55％，

Sb氧化物含量为0～0.02％，

Li₂O含量相对于SiO₂和Al₂O₃的总含量的摩尔比、即Li₂O/(SiO₂+Al₂O₃)为0.02以下，

包含Sn氧化物和Ce氧化物作为必要成分，

Ti氧化物的含量相对于Sn氧化物和Ce氧化物的总含量的摩尔比、即Ti氧化物/(Sn氧化物+Ce氧化物)为0.6～10.0，

TiO₂含量相对于SiO₂和Al₂O₃的总含量的摩尔比、即TiO₂/(SiO₂+Al₂O₃)为0.030以下，并且，

玻璃化转变温度为600℃以上。

2.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，Sn氧化物的含量为0.10～1.50摩尔％。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，Ce氧化物的含量为0.05～0.70摩尔％。

4.如权利要求1或2所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，Ti氧化物、Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.50～4.00％。

5.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，{(Ti氧化物+Sn氧化物+Ce氧化物)/(SiO₂+Al₂O₃)}为0.010～0.070。

6.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，Na₂O的含量的范围为0～5摩尔％。

7.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，K₂O的含量的范围为1～10摩尔％。

8.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，{(MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO)}为0.85～1.0。

9.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，MgO的含量的范围为1～23摩尔％。

10.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，CaO的含量的范围为6～21摩尔％。

11.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，MgO和CaO的总含量的范围为15～35摩尔％。

12.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SrO的含量的范围为0～5摩尔％。

13.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，BaO的含量的范围为0～5摩尔％。

14.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，SrO和BaO的总含量的范围为0～5摩尔％。