[发明专利]n-掺杂的导电聚合物材料

权利要求书

1.一种材料，其包含：

-n-掺杂的导电聚合物，其包含至少一个缺电子芳族部分，各缺电子芳族部分的气相电子亲和力(E_A)为1-3eV；和

-至少一个与所述聚合物或材料中包含的其它聚合物共价结合的抗衡阳离子，

其中,聚合物被n-掺杂至电荷密度为0.1-1电子/缺电子芳族部分，所述聚合物能形成真空功函(WF)为2.5-4.5eV的层，其中材料中包含的所有抗衡阳离子被固定，这样所述聚合物中任何电子都无法明显扩散或迁移出所述聚合物。

2.如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述缺电子芳族部分是：官能化的多环芳族部分、单环苯并部分、双环苯并部分、单环萘并部分、双环萘并部分、单环杂环部分、吡啶部分、苯部分、吡喃部分或它们的组合。

3.如权利要求2所述的材料，其特征在于，所述缺电子芳族部分是取代或未取代的：苯并噻二唑、苯并二噻二唑、苯并噁二唑、苯并二噁二唑、苯并咪唑、吲唑、苯并三唑、苝四羧基二酰亚胺、萘四羧二酰亚胺，二酮基吡咯并吡咯，噻吩并吡咯，噻二唑并喹喔啉，萘并噻二唑，萘并二噻二唑，茚并芴，2,5-二氟苯，芴，或它们的组合。

4.如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述聚合物任选地包含至少一个选自下组的共部分：取代或未取代的：芴、亚苯基、亚芳基亚乙烯基、噻吩、唑、喹喔啉、噻吩并噻吩、芳胺、双酚A、甲基丙烯酸酯、硅氧烷、间连苯和它们的组合。

5.如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述缺电子芳族部分的芳环上的至少一个氢被以选自下组的基团取代：烷基、环烷基、苯基、取代的苯基、取代的杂环基、烷氧基、苯氧基、取代的苯氧基、烷硫基、苯硫基、取代的苯硫基、氟、氰基、硝基、烷酮基、三氯甲基和三氟甲基。

6.如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述抗衡阳离子选自下组：取代或未取代的铵、吗啉鎓、哌啶鎓、吡咯烷鎓、锍、磷鎓、吡啶鎓、咪唑鎓、吡咯鎓和吡喃鎓。

7.如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述材料包含：

-聚(2,5-二(3-三甲基铵基丙基-3-(5-(噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-基)噻吩-2-基)-6-(噻吩-2,5-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮)三氟甲磺酸盐](DPPT2C3NMe3OTf-TT)；

-聚{[N,N’-二(3-三甲基铵基丙基)-萘-1,4,5,8-二(二羧酰亚胺)-2,6-二基]-交替-[2,5-(噻吩并[3,2-b]噻吩]碘化物}(NDIC3NMe3I-TT)；

-聚{[N,N’-二(3-三甲基铵基丙基)-萘-1,4,5,8-二(二羧酰亚胺)-2,6-二基]-交替-[2,5-(噻吩并[3,2-b]噻吩]三氟甲磺酸盐}(NDIC3NMe3OTf-TT)；

-聚{[N,N’-二(3-(4-甲基吗啉并)丙基)-萘-1,4,5,8-二(二羧酰亚胺)-2,6-二基]-交替-[2,5-(噻吩并[3,2-b]噻吩]三氟甲磺酸盐}(NDIC3MorOTf-TT)；

-聚{[N,N’-二(3-三甲基铵基丙基)-萘-1,4,5,8-二(二羧酰亚胺)-2,6-二基]-交替-[5,5-(2,2’-联噻吩)三氟甲磺酸盐}(NDIC3NMe3OTf-T2)；

-聚{[9,9’-二(3-三甲基铵基丙基)芴基-2,7-二基]-交替-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)三氟甲磺酸盐}(BT-F3NMe3OTf)；或

-聚{[9,9’-二(3-三甲基铵基丙基)芴基-2,7-二基]-交替-(9,9’-二辛基芴基-2,7-二基)}(F3NMe3OTf-F8)。

8.包含如权利要求1所述的材料和聚合物稀释剂的组合物。