[发明专利]处理工件的方法有效
| 申请号： | 201680038035.1 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107710423B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 维克拉姆·M·博斯尔;提摩太·J·米勒;查理斯·T·卡尔森;具本雄 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0288;H05B1/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 工件 方法 | ||
1.一种处理工件的方法，其特征在于，包括：
将硼植入至所述工件的第一表面中；
在所述植入之后将所述工件返送至载具的同时，将所述工件暴露于短的热处理，使硼自所述工件的所述第一表面向外扩散；以及
在所述暴露之后，同时使所述工件与至少另一工件经受退火工艺，将所植入的硼驱入至所述工件中，修复由植入造成的损坏并将硼活化，其中所述退火工艺时，所述工件与所述至少另一工件堆叠于所述载具中，使得所述工件的前表面邻近所述至少另一工件的后表面。
2.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，在所述暴露期间对周围环境供应氧气。
3.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，在所述暴露期间对周围环境供应氧气及至少一种惰性气体。
4.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，所述短的热处理是使用激光来执行。
5.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，所述短的热处理是使用一或多个加热灯来执行。
6.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，所述短的热处理是使用一或多个发光二极管来执行。
7.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，还包括在所述暴露之前将氧植入至所述工件的所述第一表面中。
8.根据权利要求7所述的处理工件的方法，其特征在于，氧是与硼同时植入。
9.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其特征在于，所述短的热处理将所述工件加热至介于850℃与1450℃之间的温度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
